ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2016, № 9

О способе увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности

Е.Л. Панкратов1, Е.А. Булаева1

1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Россия
Полный текст EDN XAAFXD

Аннотация

В данной работе рассматривается способ увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности, а так же уменьшения их размеров. Предлагаемый способ базируется на формировании гетероструктуры специальной конфигурации. После формирования гетероструктуры необходимые участки данной гетероструктуры легируются с помощью диффузии или ионной имплантации с целью формирования в них необходимых типов проводимости ( p или n ). Далее рассматривается оптимизированный отжиг примеси и/ или радиационных дефектов с целью формирования более компактных пространственных распределений концентраций примесей с одновременным увеличением равномерности распределения концентрации примесей в обогащенных ими областях. В данной работе также предлагается аналитическая методика прогнозирования технологического процесса. Данная методика позволяет одновременно учитывать пространственные и временные изменения параметров физических процессов (коэффициент диффузии примеси, предел растворимость примеси и другие), а также нелинейность рассматриваемых процессов.

  • полевые гетеротранзисторы
  • field-effect heterotransistors
  • усилитель мощности
  • увеличение плотности гетеротранзисторов
Abstract (in English)

In this paper we consider an approach to increase the density of field-effect transistors which are the components of a power amplifier. In the framework of this approach it is also possible to decrease dimensions of these transistors. The approach is based on manufacturing heterostructure with special configuration. After the manufacturing required areas of the heterostructure have been doped by diffusion or by ion implantation to produce required type of conductivity ( p or n ). Further we consider optimized annealing of dopant and/or radiation defects to manufacture more compact spatial distributions of dopants with at the same time with increasing of homogeneity of dopant concentrations in doped areas. In this paper we also introduce an analytical approach for prognosis of technological process. The approach gives a possibility to take into account dependences of physical parameters (dopant diffusion coefficient, limit of solubility of dopant and other) on coordinate and at the same time on time. The approach gives also a possib

Для цитирования

Панкратов Е.Л., Булаева Е.А. О способе увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности // Журнал радиоэлектроники. – 2016. – № 9.

Литература

  1. S.A.Z. Murad, M.N. Md Isa, F.A. Bakar, R. Sapawi. Recent Advances in Electrical and Electronic Engineering. Vol. 9 (1). P. 63-67 (2016).
  2. Г. Волович. Современная электроника. № 2. С. 10-17 (2006).
  3. А. Керенцев, В. Ланин. Силовая электроника. №. 1. С. 34-38 (2008).
  4. А.О. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, А.В. Саченко. ФТП. Т. 43 (7). С. 897-903 (2009).
  5. Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. Т. 35 (8). С. 1013-1017 (2001).
  6. A. Subramaniam, K. D. Cantley, E.M. Vogel. Active and Passive Electronic Components. Vol. 2013, ID 525017 (2013).
  7. K.K. Ong, K.L. Pey, P.S. Lee, A.T.S. Wee, X.C. Wang, Y.F. Chong. Appl. Phys. Lett. Vol. 89 (17), 172111-172114 (2006).
  8. H.T. Wang, L.S. Tan, E. F. Chor. J. Appl. Phys. Vol. 98 (9), 094901-094905 (2006).
  9. Ю.В. Быков, А.Г. Еремеев, Н.А. Жарова, И.В. Плотников, К.И. Рыбаков, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Д. Скупов. Известия вузов. Радиофизика. Т.43 (3). С. 836-843 (2003).
  10. В.В. Козловский. Модификация полупроводников пучками протонов (С-Пб: Наука, 2003).
  11. В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев: Наукова Думка, 1979).
  12. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств (М: Радио и связь, 1991).
  13. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. Vol. 61 (2). P. 289-388 (1989).
  14. М.Л. Краснов, А.И. Киселев, Г.И. Макаренко. Интегральные уравнения (М: "Наука", 1976).
  15. Е.Л. Панкратов. Микроэлектроника. Т. 36 (1). С. 33-39 (2007).
  16. E.L. Pankratov. Int. J. Nanoscience. Vol. 7 (4-5). P. 187-197 (2008).
  17. E.L. Pankratov. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 7 (1). P. 289-295 (2010).
  18. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 10 (4). P. 888-893 (2013).
  19. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Micro-Nano Scale Transp. Vol. 4 (1). P. 17-31 (2014).
  20. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Nanoscience. Vol. 11 (5). P. 1250028-1250035 (2012).
  21. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 11 (1). P. 91-101 (2014).