Исследование δ-легированных n-i-p-i-n структур GaAs методом спектроскопии фотоотражения

Авакянц, Л. П.; Боков, П. Ю.; Бугаков, И. В.; Колмакова, Т. П.; Червяков, А. В.

Л.П. Авакянц¹, П.Ю. Боков¹, И.В. Бугаков¹, Т.П. Колмакова², А.В. Червяков¹

Аннотация

Методом спектроскопии фотоотражения исследованы полупроводниковые nipin-структуры арсенида галлия с дельта-легированными слоями p-типа. Из анализа осцилляций Франца-Келдыша определены напряженности встроенных электрических полей и энергии межзонных переходов структуры. Обнаружено увеличение энергии межзонного перехода в области дельта-легирования, что объясняется эффектом Бурштейна-Мосса вследствие фотогенерации носителей.

гетеоструктуры
фотоотражение
дельта-легирование

Для цитирования

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Бугаков И.В., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование δ-легированных n-i-p-i-n структур GaAs методом спектроскопии фотоотражения // Журнал радиоэлектроники. – 2010. – № 1.

Литература

Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.:Мир. 1983.
Sciana B., Sek G., Misiewicz J. Et al. // Materials science-Poland. 2008. 26. P. 71.
Harris J.J. // J. Mat. Scie.: materials and electronics. 1993. 4. p. 93.
Cechaviius B., Kavaliauskas J., Krivaite G. et al. // Physica status solidi (c) 2007. 204. p. 412.
Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. // ЖТФ 2005. 75. с. 66Kavaliauskas J.; Krivaite G. // Physica status solidi. 2008. 245 p. 82.
Alperovich V.L.. Jaroshevich A.S., Scheibler H.E. et al. // Sol. St. Electr. 1994. 37. p. 657.
Aspnes D.E., Shtudna A.A. // Phys Rev B. 1973. 7. p. 4605.
Pavesi L., Guzzi M. // J. Appl. Phys. 1994. 75. p. 4779.