ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2019, № 10 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Профили легирования AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структур

П.А. Змановский1,2, Н.Д. Ильюшина3,4, М.М. Абдулов1,2, А.К. Смирнова1,2,3,4, М.Н. Дроздов5,6, А.А. Веденеев1,2,3, М.П. Духновский1,2

1 АО «НПП «Исток» им. Шокина», Фрязино, Россия
2 JSC “RPC “Istok” named after Shokin”, Россия
3 РТУ МИРЭА, Россия
4 RTU MIREA, Россия
5 Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6 Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences, Россия
Полный текст (PDF) DOI: 10.30898/1684-1719.2019.10.4 УДК 621.382 EDN PWRHOQ

Аннотация

В настоящей работе посредством вторичной ионной масс-спектрометрии изучается распределение атомов кремния в AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структурах с фоновым легированием, выращенных по технологии МОС-гидридной эпитаксии. Проведен сравнительный анализ C-V характеристик таких структур, с помощью электронной оже-спектроскопии изучено взаимодействие SiH4 c поверхностью GaAs(001).

  • вторичная ионная масс-спектрометрия
  • эпитаксия
  • pHEMT-структура
  • secondary ion mass-spectrometry
  • epitaxy
  • pHEMT-structure
Abstract (in English)

Doping profiles of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-structures

In the present paper by means of secondary ion mass-spectrometry we study Si atoms distribution in MOCVD AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-structures with the background doping. The C-V measurements of such structures and Auger electron spectroscopy study of SiH4 interaction with GaAs(001) are also presented below.

Для цитирования

Змановский П.А., Ильюшина Н.Д., Абдулов М.М., Смирнова А.К., Дроздов М.Н., Веденеев А.А., Духновский М.П. Профили легирования AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структур // Журнал радиоэлектроники. – 2019. – № 10. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2019.10.4

Литература

  1. Protasov D.Yu., Gulyaev D.V., Bakarov A.K., Toropov A.I., Zhuravlev K.S. The 2DEG mobility enhancement for low- and high-electric fields in a new type of AlGaAs/InGaAs heterostructures with donor-acceptor doping. Journal of Physics: Conference Series, 2017, Vol. 864, pp. 012051-012054.
  2. Protasov D.Yu., Zhuravlev K.S. The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors. Solid-State Electronics, 2017, Vol. 129, pp. 66-72.
  3. Takeda J., Isono R., Fujio S., Kamogawa H., Sahara M., Meguro T., Otoki Y. Degradation of pHEMT performance in BiHEMTs caused by thermal history during HBT growth and suggestions for improvement. CS MANTECH Conference, Portland, Oregon, USA, May 17th - 20th, 2010, pp 281-284.