Температурно-частотные характеристики структур с барьером шоттки

Мамедов Азер Каграман оглы,

Аннотация

Разработана графоаналитическая модель структур с барьером Шоттки, аппроксимирующая реальные зависимости эквивалентной емкости и сопротивления от частоты и температуры в виде ломаной линии с несколькими изломами.

Для цитирования

оглы Мамедов Азер Каграман Температурно-частотные характеристики структур с барьером шоттки // Журнал радиоэлектроники. – 2003. – № 10.

Литература

1.Симон Ж., Андре Ж.-Ж. Молекулярные подупроводники: фотоэлектрические свойства и солнечные элементы. Пер. с англ., М., Мир, 1988, 344с.
2.Nowroozi-Esfahani R., Maclay G.J. Complex impedance measurements of capacitor structures on silicon with copper phthalocyanine dielectric. Journal of Applied Physics, 1990, v. 67, N7, p.3409-3418.
3.Simmons J.G. Alternating current electrical properties of highly doped insulating films. Journal of Applied Physics, 1970, v.41, N2, p.538-544.
4.Simmons J.G., Wei L.S. Theory of transient emisson current in MOS devices and the direct determination of interface trap parameters. Solid State Electronics, 1974, v.17, p.117-124.
5.Barkhalov B.Sh., Y.A. Vidadi. Properties of Al /copper phthalocyanine/ Ag diode structures with Schottky barriers. Thin solid films, 1977, v.40, N2, p.15-18
6.Fernandez-Canque H.L., Allison J., Thompson M.J. The capacitance of rf sputtered hydrogenated amorphous silicon, Schottky barrier diodes. Journal of Applied Physics, 1983, v.54, N12, p.7025-7033.