ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2024, № 7 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Фоточувствительный ПЗС ВЗН, разработанный на кремниевой эпитаксиальной структуре

А.М. Маклаков1,2, Е.В. Каевицер3,4, Д.А. Федоров1

1 АО «Научно-производственное предприятие «Пульсар», Москва, Россия
2 Российский технологический университет «МИРЭА», Россия
3 ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
4 Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва, Россия
Полный текст DOI: 10.30898/1684-1719.2024.7.3 УДК 621.383.7.004.942 EDN UCFSOU

Аннотация

С помощью приборно-технологического моделирования получены функции передачи модуляции для двух структур ПЗС, работающих в режиме временной задержки и накопления.

  • разрешающая способность
  • ПЗС ВЗН
  • TCAD-моделирование
Abstract (in English)

Photosensitive CCD sensors designed on a silicon epitaxial structure

With the help of instrument-technological modeling, modulation transmission functions for two CCD structures operating in the time delay and accumulation mode were obtained.

Для цитирования

Маклаков А.М., Каевицер Е.В., Федоров Д.А. Фоточувствительный ПЗС ВЗН, разработанный на кремниевой эпитаксиальной структуре // Журнал радиоэлектроники. – 2024. – № 7. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2024.7.3

Литература

  1. Ivanova G.A., Pugachev A.A. Metod modelirovaniya funktsii peredachi modulyatsii matrichnykh fotopriemnykh SBIS // Problemy razrabotki perspektivnykh mikroi nanoehlektronnykh sistem - 2014. Sbornik trudov / Pod obshch. red. akademika RAN A. L. Stempkovskogo. M.: IPPM RAN, 2014. Chast' I. S. 65-70.
  2. Ivanova G.A., Pugachev A.A., Puzyr'kov D.V., Shchelokov A.N. Fiziko-topologicheskoe modelirovanie razreshayushchei sposobnosti fotopriemnykh SBIS// Izvestiya YUFU. Tekhnicheskie nauki. № 2. 2015 g. - S.246-254.
  3. Pugachev A.A., Ivanova G.A., Puzyr'kov D.V., Shchelokov A.N., Gulyakovich G.N., Severtsev V.N. Avtomatizirovannoe proektirovanie fotochuvstvitel'nykh SBIS po kriteriyu razreshayushchei sposobnosti // Trudy II Rossiisko-Belorusskoi nauchno-tekhnicheskoi konferentsii "Ehlementnaya baza otechestvennoi radioehlektroniki: importozameshchenie i primeneniE" im. O.V. Loseva. 2015. - S. 144-148.
  4. Kononov A.A., Pospelova M.A., Pugachev A.A., Sokolov S.V. Primenenie priborno-tekhnologicheskogo modelirovaniya pri proektirovanii fotochuvstvitel'nykh PZS i KMOPfotodiodnykh SBIS // Mezhdunarodnaya konferentsiya "Mikroehlektronika 2015".Integral'nye skhemy i mikroehlektronnye moduli: proektirovanie, proizvodstvo i primenenie. g. Alushta, 2015 g. Sbornik tezisov. Moskva: TEKHNOSFERA, 2015. - S. 236-238.
  5. Klaus J. Engel*a, Lothar Spies a, Gereon Vogtmeier a, Randy Luhta Impact of CT detector pixel-to-pixel crosstalk on image quality// Proc. of SPIE Vol. 6142 61422F-1 / Downloaded From: http://proceedings.spiedigitallibrary.org/on06/16/2016 Terms of Use: http://spiedigitallibrary.org/ss/TermsOfUse.aspx
  6. A.M. Maklakov. Otsenka vzaimovliyaniya kanalov perenosa fotochuvstvitel'nykh PZS s vremennoi zaderzhkoi i nakopleniem s pomoshch'yu priborno-tekhnologicheskogo modelirovaniya // Ehlektronnaya tekhnika, Seriya 2 poluprovodnikovye pribory, Vypusk 4 (265), s.s. 20-30, - M.:FGUP "NPP "Pul'saR", 2021
  7. Maklakov A.M. Povyshenie razresheniya fotochuvstvitel'nykh mikroskhem na priborakh s zaryadovoi svyaz'yu// Mezhdunarodnaya nauchno-tekhnicheskaya konferentsiya. Opticheskie tekhnologii, materialy i sistemy (Optotekh - 2023) [Ehlektronnyi resurs]: Sbornik dokladov konferentsii "Opticheskie tekhnologii, materialy i sistemY" Instituta perspektivnykh tekhnologii i industrial'nogo programmirovaniya RTU MIREHA / Pod redaktsiei Yurasova A.N. - M.: RTU MIREHA, 2023.- s.446-452
  8. Holst G.C. Electro-optical system performance. SPIE Optical Engineering Press, 2000