ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2002, № 6 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Наблюдение эффекта двусторонней памяти формы, обусловленного магнитоиндуцированным структурным переходом в поликристаллах ферромагнитного сплава ni2,15mn0,81fe0,04ga

И.Д. Борисенко1, К.В. Боярчук1, В.Д. Бучельников1, И.Е. Дикштейн1, Д.И. Ермаков1, В.В. Коледов1, Е.П. Красноперов1, В.В. Ховайло1, Т. Такаги1, Т.О. Худавердян1, В.Г. Шавров1

1 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Полный текст EDN MSRZON

Аннотация

Методом дуговой плавки получены поликристаллические образцы ферромагнитного сплава с памятью формы Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga. Путем термоциклирования под нагрузкой («тренировки») стержней выполненных из слитков получены образцы с 2-х сторонней памятью формы. Многократно восстанавливаемая деформация изгиба через точку мартенситного перехода превысила 1%. Исследована деформация образцов в магнитном поле до 14 Тл и продемонстрирована возможность магнитного управления 2-х сторонней памятью формы при постоянной температуре.

Для цитирования

Борисенко И.Д., Боярчук К.В., Бучельников В.Д., Дикштейн И.Е., Ермаков Д.И., Коледов В.В., Красноперов Е.П., Ховайло В.В., Такаги Т., Худавердян Т.О., Шавров В.Г. Наблюдение эффекта двусторонней памяти формы, обусловленного магнитоиндуцированным структурным переходом в поликристаллах ферромагнитного сплава ni2,15mn0,81fe0,04ga // Журнал радиоэлектроники. – 2002. – № 6.

Литература

  1. P.J. Webster, K.R.A. Ziebeck, S.L. Town, M.S. Peak, Philos. Mag. B 49 (1984) 295.
  2. V.V.Kokorin, D.A.Chernenko, PMM 68 (1989) 111.
  3. R.James, M.Wuttig, Phylos. Mag. A 77 (1998) 1273.
  4. S.J. Murray_, M. Marioni, P.G. Tello et al. JMMM 226-230 (2001) 945.
  5. A.D. Bozhko, A.N. Vasil'ev, V.V. Khovailo et al., Sov. Phys. JETP 88 (1999) 954.
  6. ] I.E. Dikshtein, D.I. Ermakov, V.V. Koledov et al., JETP Lett. 72 (2000) 373.
  7. A.A. Cherechukin, I.E. Dikshtein, et al., Phys. Lett. A 291 (2001) 175.
  8. I.D.Borisenko, K.V.Boyarchuk, V.D.Buchelnikov, Journal of Radioelectronics N 6 (2002) (<http://jre.cplire.ru/jre/june02/2/text.html>)
  9. V.G.Shavrov, A.V.Glebov, I.E.Dikshtein, Journal of Radioelectronics No. 5 (2001) (<http://jre.cplire.ru/jre/may01/1/text.html>).
  10. W.H.Wang, Z.H.Liu, Z.W.Shan et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 35 (2002) 492.