Наблюдение эффекта двусторонней памяти формы, обусловленного магнитоиндуцированным структурным переходом в поликристаллах ферромагнитного сплава ni2,15mn0,81fe0,04ga
Abstract
Методом дуговой плавки получены поликристаллические образцы ферромагнитного сплава с памятью формы Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga. Путем термоциклирования под нагрузкой («тренировки») стержней выполненных из слитков получены образцы с 2-х сторонней памятью формы. Многократно восстанавливаемая деформация изгиба через точку мартенситного перехода превысила 1%. Исследована деформация образцов в магнитном поле до 14 Тл и продемонстрирована возможность магнитного управления 2-х сторонней памятью формы при постоянной температуре.
Аннотация (на русском)
Наблюдение эффекта двусторонней памяти формы, обусловленного магнитоиндуцированным структурным переходом в поликристаллах ферромагнитного сплава ni2,15mn0,81fe0,04ga
Методом дуговой плавки получены поликристаллические образцы ферромагнитного сплава с памятью формы Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga. Путем термоциклирования под нагрузкой («тренировки») стержней выполненных из слитков получены образцы с 2-х сторонней памятью формы. Многократно восстанавливаемая деформация изгиба через точку мартенситного перехода превысила 1%. Исследована деформация образцов в магнитном поле до 14 Тл и продемонстрирована возможность магнитного управления 2-х сторонней памятью формы при постоянной температуре.
For citation
Borisenko I.D., Boiarchuk K.V., Buchelnikov V.D., Dikshtein I.E., Ermakov D.I., Koledov V.V., Krasnoperov E.P., Khovailo V.V., Takagi T., Khudaverdian T.O., Shavrov V.G. Наблюдение эффекта двусторонней памяти формы, обусловленного магнитоиндуцированным структурным переходом в поликристаллах ферромагнитного сплава ni2,15mn0,81fe0,04ga // Journal of Radio Electronics. – 2002. – No. 6.
References
- P.J. Webster, K.R.A. Ziebeck, S.L. Town, M.S. Peak, Philos. Mag. B 49 (1984) 295.
- V.V.Kokorin, D.A.Chernenko, PMM 68 (1989) 111.
- R.James, M.Wuttig, Phylos. Mag. A 77 (1998) 1273.
- S.J. Murray_, M. Marioni, P.G. Tello et al. JMMM 226-230 (2001) 945.
- A.D. Bozhko, A.N. Vasil'ev, V.V. Khovailo et al., Sov. Phys. JETP 88 (1999) 954.
- ] I.E. Dikshtein, D.I. Ermakov, V.V. Koledov et al., JETP Lett. 72 (2000) 373.
- A.A. Cherechukin, I.E. Dikshtein, et al., Phys. Lett. A 291 (2001) 175.
- I.D.Borisenko, K.V.Boyarchuk, V.D.Buchelnikov, Journal of Radioelectronics N 6 (2002) (<http://jre.cplire.ru/jre/june02/2/text.html>)
- V.G.Shavrov, A.V.Glebov, I.E.Dikshtein, Journal of Radioelectronics No. 5 (2001) (<http://jre.cplire.ru/jre/may01/1/text.html>).
- W.H.Wang, Z.H.Liu, Z.W.Shan et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 35 (2002) 492.