ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2002, № 6 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Магнитные свойства и мартенситная доменная структура при магнитоструктурном переходе в ni2,19mn0,81ga

В.Д. Бучельников1, И.Д. Борисенко1, К.В. Боярчук1, И.Е. Дикштейн1, Д.В. Ермаков1, В.В. Коледов1, Д.А. Филиппов1, В.В. Ховайло1, Т.О. Худавердян1, В.Г. Шавров1

1 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия

Аннотация

Экспериментально исследованы температурные и полевые зависимости намагниченности в полях 1-10 Тл, а так же эволюция двойниковой (мартенсит - мартенсит и мартенсит - аустенит) структуры при магнитоструктрном переходе по полю в образцах ферромагнитного сплава с памятью формы Ni2,19Mn0,81Ga. Обнаружен гистерезисный ход температурных зависимостей намагниченности, характерный для фазовых переходов 1-го рода. Выявлен гистерезисный вид полевых зависимости намагниченности в интервале от 2 до 10 Т, обусловленный индуцированным магнинтым полем магнитоструктурным переходом парамагниный аустенит - ферромагнитный мартенсит. Оптическими наблюдениями показано, что в мартенситной фазе наблюдаются области двойниковой мартенситной структурой двух типов: с широкими доменами и доменами в форме тонких игл. Формирование мартенситной доменной структуры сопровождается сильными внутренними механическими напряжениями, которые приводят к образованию трещин и обособлению областей с доменами разных типов.

Для цитирования

Бучельников В.Д., Борисенко И.Д., Боярчук К.В., Дикштейн И.Е., Ермаков Д.В., Коледов В.В., Филиппов Д.А., Ховайло В.В., Худавердян Т.О., Шавров В.Г. Магнитные свойства и мартенситная доменная структура при магнитоструктурном переходе в ni2,19mn0,81ga // Журнал радиоэлектроники. – 2002. – № 6.

Литература

  1. A.A. Cherechukin, I.E. Dikshtein, et al., Phys. Lett. A 291 (2001) 175.
  2. В.Г.Шавров, А.В.Глебов, И.Е.Дикштейн и др., Журнал Радиоэлектроники No. 5 (2001) (<http://jre.cplire.ru/jre/may01/1/text.html>)
  3. И.Д.Борисенко, К.В.Боярчук, В.Д.Бучельников и др., Журнал Радиоэлектроники No. 6 (2002) (<http://jre.cplire.ru/jre/june02/1/text.html>)
  4. А.Д.Божко, А.Н.Васильев, В.В.Ховайло и др. ЖЭТФ 115 (1999) 1740.
  5. И.Е.Дикштейн, Д.И.Ермаков, и др., Письма в ЖЭТФ, 72 (2000) 536.