Магнитные свойства и мартенситная доменная структура при магнитоструктурном переходе в ni2,19mn0,81ga

Buchelnikov, V. D.; Borisenko, I. D.; Boiarchuk, K. V.; Dikshtein, I. E.; Ermakov, D. V.; Koledov, V. V.; Filippov, D. A.; Khovailo, V. V.; Khudaverdian, T. O.; Shavrov, V. G.

V.D. Buchelnikov¹, I.D. Borisenko¹, K.V. Boiarchuk¹, I.E. Dikshtein¹, D.V. Ermakov¹, V.V. Koledov¹, D.A. Filippov¹, V.V. Khovailo¹, T.O. Khudaverdian¹, V.G. Shavrov¹

Abstract

Экспериментально исследованы температурные и полевые зависимости намагниченности в полях 1-10 Тл, а так же эволюция двойниковой (мартенсит - мартенсит и мартенсит - аустенит) структуры при магнитоструктрном переходе по полю в образцах ферромагнитного сплава с памятью формы Ni2,19Mn0,81Ga. Обнаружен гистерезисный ход температурных зависимостей намагниченности, характерный для фазовых переходов 1-го рода. Выявлен гистерезисный вид полевых зависимости намагниченности в интервале от 2 до 10 Т, обусловленный индуцированным магнинтым полем магнитоструктурным переходом парамагниный аустенит - ферромагнитный мартенсит. Оптическими наблюдениями показано, что в мартенситной фазе наблюдаются области двойниковой мартенситной структурой двух типов: с широкими доменами и доменами в форме тонких игл. Формирование мартенситной доменной структуры сопровождается сильными внутренними механическими напряжениями, которые приводят к образованию трещин и обособлению областей с доменами разных типов.

Аннотация (на русском)

Магнитные свойства и мартенситная доменная структура при магнитоструктурном переходе в ni2,19mn0,81ga

For citation

Buchelnikov V.D., Borisenko I.D., Boiarchuk K.V., Dikshtein I.E., Ermakov D.V., Koledov V.V., Filippov D.A., Khovailo V.V., Khudaverdian T.O., Shavrov V.G. Магнитные свойства и мартенситная доменная структура при магнитоструктурном переходе в ni2,19mn0,81ga // Journal of Radio Electronics. – 2002. – No. 6.

References

A.A. Cherechukin, I.E. Dikshtein, et al., Phys. Lett. A 291 (2001) 175.
В.Г.Шавров, А.В.Глебов, И.Е.Дикштейн и др., Журнал Радиоэлектроники No. 5 (2001) (<http://jre.cplire.ru/jre/may01/1/text.html>)
И.Д.Борисенко, К.В.Боярчук, В.Д.Бучельников и др., Журнал Радиоэлектроники No. 6 (2002) (<http://jre.cplire.ru/jre/june02/1/text.html>)
А.Д.Божко, А.Н.Васильев, В.В.Ховайло и др. ЖЭТФ 115 (1999) 1740.
И.Е.Дикштейн, Д.И.Ермаков, и др., Письма в ЖЭТФ, 72 (2000) 536.