2010, № 12 · РАДИОТЕХНИКА
Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением
1 1Федеральное государственное унитарное предприятие "Московский радиотехнический институт Российской Академии наук"
2 Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Центр магнитной томографии и спектроскопии, Россия
Аннотация
Рассмотрен процесс накопления повреждений СВЧ диодами при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Проведен статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
- модель
- накопление повреждений
- СВЧ диоды
- радиоимпульс
Для цитирования
Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // Журнал радиоэлектроники. – 2010. – № 12.
Литература
- Garver R.V., Fazi C.,Druns H. Dynamic diode mixer damage measurements. - 1985 IEEE MTT-S Int.Microwave Symp. Digest., p.535-536.
- Glan Chance V. Transit mixer damage. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest., 1989, p. 475-477.
- Christon A. GaAs mixer burnout mechanisms at 36-94 GHz. -Annual Proc. Reliab. Physics, 1980, p.140-144.
- Dale., Neylon S., Condie A., Kearacy M.J. Planar doped barrier diodes offering improved microwave burnout performance over Si and GaAs Shottky diodes. -19 Europe Microwave Conf. Proc., 1989, p.237-243.
- Whalen J.J. The RF Pulse Susceptibility of UHF Transistors. // IEEE Trans., 1975, Vol. EMC-17, No.1.
- Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В. Статистика отказов цифровых ИМС, вызванных импульсным радиоизлучением. // 9-я Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Доклад, Севастополь, 1999, с.329-330
- Физические основы надежности интегральных схем. / Сыноров В.Ф., Пивоваров Р.П., Петров Б.К., Долматов Т.В. / Под ред. Ю.Г. Миллера. - М.: Сов. Радио, 1976, 320 с.
- ГОСТ 19656.4-74. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования.
- Ключник А.В., Солодов А.В. Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением // Радиотехника, 2010, №2, с.37-41.
- Антипин В.В., Годовицын В.А., Громов Д.В., Кожевников А.О., Раваев А.А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. // Зарубежная радиоэлектроника, 1995, №1, с. 37-52.