2010, № 12 · RADIO ENGINEERING
Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением
1 1Федеральное государственное унитарное предприятие "Московский радиотехнический институт Российской Академии наук"
2 Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Центр магнитной томографии и спектроскопии, Russia
Abstract
Рассмотрен процесс накопления повреждений СВЧ диодами при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Проведен статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
- модель
- накопление повреждений
- СВЧ диоды
- радиоимпульс
Аннотация (на русском)
Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением
Рассмотрен процесс накопления повреждений СВЧ диодами при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Проведен статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
For citation
Kliuchnik A.V., Pirogov I.A., Solodov A.V. Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // Journal of Radio Electronics. – 2010. – No. 12.
References
- Garver R.V., Fazi C.,Druns H. Dynamic diode mixer damage measurements. - 1985 IEEE MTT-S Int.Microwave Symp. Digest., p.535-536.
- Glan Chance V. Transit mixer damage. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest., 1989, p. 475-477.
- Christon A. GaAs mixer burnout mechanisms at 36-94 GHz. -Annual Proc. Reliab. Physics, 1980, p.140-144.
- Dale., Neylon S., Condie A., Kearacy M.J. Planar doped barrier diodes offering improved microwave burnout performance over Si and GaAs Shottky diodes. -19 Europe Microwave Conf. Proc., 1989, p.237-243.
- Whalen J.J. The RF Pulse Susceptibility of UHF Transistors. // IEEE Trans., 1975, Vol. EMC-17, No.1.
- Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В. Статистика отказов цифровых ИМС, вызванных импульсным радиоизлучением. // 9-я Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Доклад, Севастополь, 1999, с.329-330
- Физические основы надежности интегральных схем. / Сыноров В.Ф., Пивоваров Р.П., Петров Б.К., Долматов Т.В. / Под ред. Ю.Г. Миллера. - М.: Сов. Радио, 1976, 320 с.
- ГОСТ 19656.4-74. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования.
- Ключник А.В., Солодов А.В. Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением // Радиотехника, 2010, №2, с.37-41.
- Антипин В.В., Годовицын В.А., Громов Д.В., Кожевников А.О., Раваев А.А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. // Зарубежная радиоэлектроника, 1995, №1, с. 37-52.