ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2011, № 5 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре

Е.Л. Панкратов1

1 Нижегородский архитектурно-строительный университет, Россия
Полный текст (PDF) EDN NUFARJ

Аннотация

Ранее было показано, что формирование диффузионных и имплантационных p-n-переходов в полупроводниковых гетероструктурах и оптимизация отжига позволяет сформировать более мелкие p-n-переходы с более равномерным распределением примеси. В данной работе рассматривается возможность применения радиационной обработки материалов для одновременного усиления обоих эффектов.

  • увеличение резкости p-n-переходов; радиационная обработка материалов
  • increasing of sharpness of a p-n-junctions; radiation processing of materials
Abstract (in English)

Recently it has been elaborated an approach to decrease depth of diffusive- and implanted-junction rectifiers by manufacturing the rectifiers in a semiconductor heterostructure and optimization of annealing of dopant and radiation defects. At the same time with decreasing of depth of p-n-junction homogeneity of dopant distribution in doped area increases. In this paper we analyzed possibility to increase the both effects at one time by radiation processing of materials of the heterostructure.

Для цитирования

Панкратов Е.Л. Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре // Журнал радиоэлектроники. – 2011. – № 5.

Литература

  1. A.B. Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York, John Wyley and Sons,1983,894p.
  2. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
  3. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника. Ростов-на-Дону: Феникс, 2001. 446 с.
  4. С.Т. Шишияну, Т.С. Шишияну, С.К. Райлян. ФТП. 2002. Т.36 (5). С. 611-617.
  5. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, Письма в ЖТФ Т. 29 (19), С. 26-30 (2003).
  6. T. Ahlgren, J. Likonen, J. Slotte, J. Raisanen, M. Rajatore, J. Keinonen. Phys. Rev. B. 1997. V.56, (8). P. 4597-4603.
  7. Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. 2001. Т.35 (8). С. 1013-1017.
  8. Н.А. Соболев. ФТП. 2010. Т.44 (1). С. 3-25.
  9. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Санкт-Петербург: "Наука", 2003. 268 с.
  10. М.Г. Мынбаева, Е.Н. Мохов, А.А. Лаврентьев, К.Д. Мынбаев, Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34 (17), С. 13-19.
  11. K.K. Ong, K.L. Pey, P.S. Lee, A.T.S. Wee, X.C. Wang, Y.F. Chong, Appl. Phys. Lett. 2006. 89 (17). 172111-172113.
  12. Ю.В. Быков, А.Г. Еремеев, Н.А. Жарова, И.В. Плотников, К.И. Рыбаков, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Д. Скупов. Известия вузов. Радиофизика. 2003. Т.43, №3. С. 836-843.
  13. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП. 2001. Т.35 (7). С. 769-795.
  14. E.L. Pankratov. Phys. Rev. B. 2005. V.72 (7). P. 075201-075208.
  15. E.L. Pankratov, B. Spagnolo. The Eur. Phys. J. B. 2005. V. 46 (1). P. 15-19.
  16. E.L. Pankratov. Phys. Lett. A. 2008. Vol. 372 (11). P. 1897-1903.
  17. E.L. Pankratov. J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103 (6). P. 064320-064330.
  18. E.L. Pankratov. Int. J. Nanoscience. 2008. Vol. 7 (4-5). P. 187-197.
  19. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия. 1975. 130 с.
  20. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.