Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2011, № 5 · SOLID STATE ELECTRONICS

Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре

E.L. Pankratov1

1 Нижегородский архитектурно-строительный университет, Russia
Full text (PDF) EDN NUFARJ

Abstract

Recently it has been elaborated an approach to decrease depth of diffusive- and implanted-junction rectifiers by manufacturing the rectifiers in a semiconductor heterostructure and optimization of annealing of dopant and radiation defects. At the same time with decreasing of depth of p-n-junction homogeneity of dopant distribution in doped area increases. In this paper we analyzed possibility to increase the both effects at one time by radiation processing of materials of the heterostructure.

  • увеличение резкости p-n-переходов; радиационная обработка материалов
  • increasing of sharpness of a p-n-junctions; radiation processing of materials
Аннотация (на русском)

Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре

Ранее было показано, что формирование диффузионных и имплантационных p-n-переходов в полупроводниковых гетероструктурах и оптимизация отжига позволяет сформировать более мелкие p-n-переходы с более равномерным распределением примеси. В данной работе рассматривается возможность применения радиационной обработки материалов для одновременного усиления обоих эффектов.

For citation

Pankratov E.L. Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре // Journal of Radio Electronics. – 2011. – No. 5.

References

  1. A.B. Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York, John Wyley and Sons,1983,894p.
  2. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
  3. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника. Ростов-на-Дону: Феникс, 2001. 446 с.
  4. С.Т. Шишияну, Т.С. Шишияну, С.К. Райлян. ФТП. 2002. Т.36 (5). С. 611-617.
  5. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, Письма в ЖТФ Т. 29 (19), С. 26-30 (2003).
  6. T. Ahlgren, J. Likonen, J. Slotte, J. Raisanen, M. Rajatore, J. Keinonen. Phys. Rev. B. 1997. V.56, (8). P. 4597-4603.
  7. Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. 2001. Т.35 (8). С. 1013-1017.
  8. Н.А. Соболев. ФТП. 2010. Т.44 (1). С. 3-25.
  9. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Санкт-Петербург: "Наука", 2003. 268 с.
  10. М.Г. Мынбаева, Е.Н. Мохов, А.А. Лаврентьев, К.Д. Мынбаев, Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34 (17), С. 13-19.
  11. K.K. Ong, K.L. Pey, P.S. Lee, A.T.S. Wee, X.C. Wang, Y.F. Chong, Appl. Phys. Lett. 2006. 89 (17). 172111-172113.
  12. Ю.В. Быков, А.Г. Еремеев, Н.А. Жарова, И.В. Плотников, К.И. Рыбаков, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Д. Скупов. Известия вузов. Радиофизика. 2003. Т.43, №3. С. 836-843.
  13. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП. 2001. Т.35 (7). С. 769-795.
  14. E.L. Pankratov. Phys. Rev. B. 2005. V.72 (7). P. 075201-075208.
  15. E.L. Pankratov, B. Spagnolo. The Eur. Phys. J. B. 2005. V. 46 (1). P. 15-19.
  16. E.L. Pankratov. Phys. Lett. A. 2008. Vol. 372 (11). P. 1897-1903.
  17. E.L. Pankratov. J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103 (6). P. 064320-064330.
  18. E.L. Pankratov. Int. J. Nanoscience. 2008. Vol. 7 (4-5). P. 187-197.
  19. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия. 1975. 130 с.
  20. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.