ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2012, № 12 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов в пленках SiO 2

А.В. Герт1, К.С. Журавлев2

1 Физико-технический институт РАН, Россия
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Россия
Полный текст (PDF) EDN PXPODJ

Аннотация

Проведены исследования влияния электрического поля на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния, сформированных в слое диоксида кремния. Обнаружено, что приложение внешнего электрического поля приводит к красному сдвигу максимума полосы фотолюминесценции нанокристаллов кремния и понижению интенсивности фотолюминесценции. Кинетика не изменялась.

  • кремниевые нанокристаллы
  • фотолюминисценция
  • пленки оксида кремния
  • влияние электрического поля
Abstract (in English)

In the paper the investigations of electric field influence on photoluminescence of the silicon nanocrystals formed in the dioxide silicon layer are carried out. It has been found that applying of external electric field leads to the red shift of the maximum of the photoluminescence band of the silicon nanocrystals and to the reducing of photoluminescence intensity.

Для цитирования

Герт А.В., Журавлев К.С. Влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов в пленках SiO 2 // Журнал радиоэлектроники. – 2012. – № 12.

Литература

  1. M.Hybertsen, PRL 72, 1514 (1994).
  2. L.T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
  3. V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, et al. 87, 8165 (2000).
  4. J. Khurgin, E.W. Fosythe, Appl. Phys. Lett. 69, 26 (1996).
  5. Tsutomu Shimizu-Iwayama, David E. Hole J., Appl. Phys. 83, 6018 (1998).
  6. T. V. Torchynska, A.L. Quintos et. Al., Journal of Non-Crystalline Solids 354, 2186 (2008).
  7. P. M. Fauchet, J. Ruan, H.Chen, et al., Optical Materials 27, 745 (2005).
  8. X.Y. Chen, Y.F. Lu, Y.H.Wu, Applied Surface Science 253, 2718 (2006).
  9. I. Sychugov, R. Juhasz, Applied Surface Science 252, 5249 (2006).
  10. T. Mohanty, N.C. Mishra, Asima Pradhan, Surface & Coating Technology 196, 34 (2005).
  11. I. Sychugov, R. Juhasz, Optical Materials 27, 973 (2005).
  12. G. G. Ross, D. Barba, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 256, p. 211-215 (2007).
  13. X. D. Pi, P.J. Simpson, Applied Physics Letters 88, 103111 (2006).
  14. K. Ito, S. Ohyama, Appl. Phys.Lett. 67, 2536 (1995).
  15. A. Irrera, G. Franzo, F. Iacona, Physica E 38, 181 (2007).
  16. Roushdey Salh, L. Kourkoutis, M.V. Zamoryanskaya et al., H.-J. Fitting Journal of Non-Crystalline Solids 355, 1107 (2009).
  17. S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus et al., Phys. Rev. Lett. 72, 2648 (1994).
  18. G. Amato and M. Rosenbauer, in book Structural and Optical Properties of Porous Silicon Nanostructures: Absorption and Photoluminescence in Porous Silicon, Gordon and Breach Science Publishers, 3 (1996).
  19. T. Ouisse, A. G. Nassiopolou, Europhys. Lett. 51, 168 (2000).
  20. L. Ding, T. P. Chen, Y. Liu, et al., Phys. Rev. 72, 125419 (2005).
  21. T. Ito, T. Ohta, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1 (1992).
  22. R. Salh, L. Fitting, E.V. Kolesnikova, et al., ФТП 41, 397 (2007).
  23. G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett. 76, 2961 (1996).
  24. A.Yu. Kobitsky, K.S. Zhuravlev et al., Phys. Rev. B 63, 115423 (2001).