Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2012, № 12 · SOLID STATE ELECTRONICS

Влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов в пленках SiO 2

A.V. Gert1, K.S. Zhuravlev2

1 Физико-технический институт РАН, Russia
2 Институт физики полупроводников СО РАН, Russia
Full text (PDF) EDN PXPODJ

Abstract

In the paper the investigations of electric field influence on photoluminescence of the silicon nanocrystals formed in the dioxide silicon layer are carried out. It has been found that applying of external electric field leads to the red shift of the maximum of the photoluminescence band of the silicon nanocrystals and to the reducing of photoluminescence intensity.

  • photoluminescence
  • Silicon oxide film
  • Silicon nanocrystal
  • Influence of electric field
Аннотация (на русском)

Влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов в пленках SiO 2

Проведены исследования влияния электрического поля на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния, сформированных в слое диоксида кремния. Обнаружено, что приложение внешнего электрического поля приводит к красному сдвигу максимума полосы фотолюминесценции нанокристаллов кремния и понижению интенсивности фотолюминесценции. Кинетика не изменялась.

For citation

Gert A.V., Zhuravlev K.S. Влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов в пленках SiO 2 // Journal of Radio Electronics. – 2012. – No. 12.

References

  1. M.Hybertsen, PRL 72, 1514 (1994).
  2. L.T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
  3. V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, et al. 87, 8165 (2000).
  4. J. Khurgin, E.W. Fosythe, Appl. Phys. Lett. 69, 26 (1996).
  5. Tsutomu Shimizu-Iwayama, David E. Hole J., Appl. Phys. 83, 6018 (1998).
  6. T. V. Torchynska, A.L. Quintos et. Al., Journal of Non-Crystalline Solids 354, 2186 (2008).
  7. P. M. Fauchet, J. Ruan, H.Chen, et al., Optical Materials 27, 745 (2005).
  8. X.Y. Chen, Y.F. Lu, Y.H.Wu, Applied Surface Science 253, 2718 (2006).
  9. I. Sychugov, R. Juhasz, Applied Surface Science 252, 5249 (2006).
  10. T. Mohanty, N.C. Mishra, Asima Pradhan, Surface & Coating Technology 196, 34 (2005).
  11. I. Sychugov, R. Juhasz, Optical Materials 27, 973 (2005).
  12. G. G. Ross, D. Barba, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 256, p. 211-215 (2007).
  13. X. D. Pi, P.J. Simpson, Applied Physics Letters 88, 103111 (2006).
  14. K. Ito, S. Ohyama, Appl. Phys.Lett. 67, 2536 (1995).
  15. A. Irrera, G. Franzo, F. Iacona, Physica E 38, 181 (2007).
  16. Roushdey Salh, L. Kourkoutis, M.V. Zamoryanskaya et al., H.-J. Fitting Journal of Non-Crystalline Solids 355, 1107 (2009).
  17. S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus et al., Phys. Rev. Lett. 72, 2648 (1994).
  18. G. Amato and M. Rosenbauer, in book Structural and Optical Properties of Porous Silicon Nanostructures: Absorption and Photoluminescence in Porous Silicon, Gordon and Breach Science Publishers, 3 (1996).
  19. T. Ouisse, A. G. Nassiopolou, Europhys. Lett. 51, 168 (2000).
  20. L. Ding, T. P. Chen, Y. Liu, et al., Phys. Rev. 72, 125419 (2005).
  21. T. Ito, T. Ohta, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1 (1992).
  22. R. Salh, L. Fitting, E.V. Kolesnikova, et al., ФТП 41, 397 (2007).
  23. G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett. 76, 2961 (1996).
  24. A.Yu. Kobitsky, K.S. Zhuravlev et al., Phys. Rev. B 63, 115423 (2001).