ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2013, № 4 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами

А.В. Градобоев1, К.Н. Орлова2, И.А. Асанов1

1 ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов», г. Томск, Россия
2 Юргинский технологический институт (филиал) Национального исследовательского Томского политехнического университета, Россия
Полный текст (PDF) УДК 621.383.933:621.3.029.78 EDN PZZBZD

Аннотация

Редставлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй – имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока.

  • гетероструктуры AlGaInP
  • радиационная стойкость
  • светодиоды
Abstract (in English)

Research results of red (630 nm) and yellow (590 nm) InGaAlP heterostructures are presented as an example the light-emitting diodes under irradiation by gamma rays 60Со. An operating mode is passive. The process of degradation light output power is shown in two stages. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination. It is possible, first type is explained reorganization of existing defect structure. The second type is explained to injection of the centers of purely radiative origin. It is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current.

Для цитирования

Градобоев А.В., Орлова К.Н., Асанов И.А. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами // Журнал радиоэлектроники. – 2013. – № 4.

Литература

  1. P. Modak, M. DiHondt, P. Mijlemans, I. Moerman, P. Van Daele, P. Demeester. Journal of electronic materials, 29 (1), 80 (2000).
  2. А.В. Градобоев, П.В. Рубанов. Тез. докл 5-ой Межд. конф. Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах (Томск, Россия, 2006) т. 1, с. 292.
  3. А.В. Градобоев, П.В. Рубанов, И.М. Скакова. Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами //Известия высших учебных заведений. Физика. №1. 2011-С190-194.
  4. С.Сlaeus, E, Simoen. Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices (Berlin, Springer-Verlag, 2002).
  5. S. Li, D. A. Collins, S. Vatanapradit, M. Ferreira, P. Zawadzki, R. A. Stall,I. Eliashevich, J. E. Nering. Proc. Int. Conf. Light.Emitting Diodes: Research, Manufacturing and Applications. ( San Jose, USA, 1999) v. 3621, p116.