Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2013, № 4 · SOLID STATE ELECTRONICS

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами

A.V. Gradoboev1, K.N. Orlova2, I.A. Asanov1

1 ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов», г. Томск, Russia
2 Юргинский технологический институт (филиал) Национального исследовательского Томского политехнического университета, Russia
Full text (PDF) UDC 621.383.933:621.3.029.78 EDN PZZBZD

Abstract

Research results of red (630 nm) and yellow (590 nm) InGaAlP heterostructures are presented as an example the light-emitting diodes under irradiation by gamma rays 60Со. An operating mode is passive. The process of degradation light output power is shown in two stages. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination. It is possible, first type is explained reorganization of existing defect structure. The second type is explained to injection of the centers of purely radiative origin. It is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current.

  • heterostructures AlGaInP
  • radiation hardness
  • light-emitting diodes
Аннотация (на русском)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами

Редставлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй – имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока.

For citation

Gradoboev A.V., Orlova K.N., Asanov I.A. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами // Journal of Radio Electronics. – 2013. – No. 4.

References

  1. P. Modak, M. DiHondt, P. Mijlemans, I. Moerman, P. Van Daele, P. Demeester. Journal of electronic materials, 29 (1), 80 (2000).
  2. А.В. Градобоев, П.В. Рубанов. Тез. докл 5-ой Межд. конф. Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах (Томск, Россия, 2006) т. 1, с. 292.
  3. А.В. Градобоев, П.В. Рубанов, И.М. Скакова. Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами //Известия высших учебных заведений. Физика. №1. 2011-С190-194.
  4. С.Сlaeus, E, Simoen. Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices (Berlin, Springer-Verlag, 2002).
  5. S. Li, D. A. Collins, S. Vatanapradit, M. Ferreira, P. Zawadzki, R. A. Stall,I. Eliashevich, J. E. Nering. Proc. Int. Conf. Light.Emitting Diodes: Research, Manufacturing and Applications. ( San Jose, USA, 1999) v. 3621, p116.