УДК 621.382.2

Процессы в полупроводниковом диоде при гармоническом воздействии

 

Д. В. Лосев, Д. С. Бардашов, А. Г. Быков

Томский государственный университет

 

Статья поступила в редакцию 21 апреля 2016 г.

 

Аннотация. В статье на основе применения методов теории функций комплексной переменной получено решение задачи об отклике полупроводникового p-n перехода на воздействие гармонического сигнала высокой частоты. Предложенное решение демонстрирует более точное описание переходных процессов (в частности уровней кратных гармоник исходного сигнала) по сравнению с классическим рассмотрением.

Ключевые слова: полупроводниковый p-n переход, переходные процессы, диффузионное приближение.

Abstract. The solution of the problem of the response of semiconductor p-n junction on the impact of the harmonic signal of high frequency is obtained in the work. The proposed solution was created by methods of complex variable functions theory. It demonstrates a more accurate description of transient processes (in particular, levels of multiple harmonics of the original signal) in comparison with classical consideration.

Key words: semiconductor p-n junction, transient processes, diffusion approximation.