ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2014, № 11 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Применение плазмостойкого негативного электронного резиста из полиэфирсульфона при изготовлении чувствительных к примесям сверхпроводниковых структур

А.С. Ильин1, И.А. Кон1, А.Г. Коваленко1

1 ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Полный текст УДК 621.38-022.532 EDN TMZXHD

Аннотация

Для изготовления сверхпроводниковых микроструктур из титана методами электронно-лучевой литографии исследовано применение негативного плазмостойкого резиста на базе полиэфирсульфона. Резистные маски из полиэфирсульфона обладают высокой химической, термической и механической стойкостью. Это позволило избежать негативных последствий дегазации резиста и его задубливания и получить титановые микроструктуры, обладающие высокой чистотой, для их применения в сенсорах на краю сверхпроводникового перехода. Негативность резиста позволяет уменьшить время экспозиции и снизить риски, связанные с термодрейфом держателя образцов.

  • полиэфирсульфон
  • дегазация
  • Poly(ether sulfone)
  • outgassing
  • электронно-лучевая литография
  • негативный резист
  • титан
  • сверхпроводниковые микроструктуры
Abstract (in English)

Use of negative plasma-stable resist based on poly(ether sulfone) for superconducting titanium microstructures fabrication using electron-beam lithography methods is investigated. Poly(ether sulphone) resist masks show high chemical, thermal and mechanical stability. This allows to avoid negative effects of resist outgassing and hardening, and fabricate titanium microstructures of high purity for their use in transition edge sensors. Resist’s negativity allows to decrease duration of exposure and to reduce risk related to thermal drift of specimen holder.

Для цитирования

Ильин А.С., Кон И.А., Коваленко А.Г. Применение плазмостойкого негативного электронного резиста из полиэфирсульфона при изготовлении чувствительных к примесям сверхпроводниковых структур // Журнал радиоэлектроники. – 2014. – № 11.

Литература

  1. Dubos P., Charlat P., Crozes Th., Paniez P. and Pannetier B. A thermostable trilayer resist for niobium lift-off. //J. Vac. Sci. Technol. 2000 B 18, 122.
  2. Выставкин А.Н., Коваленко А. Г., Кон И. А. К оценке чувствительности болометров, работающих на краю сверхпроводникового перехода // Радиотехника и электроника. - 2007. - т. 52, № 4 - С. 224-228.
  3. Rai-Choudhury P. Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication.// SPIE, Bellingham, WA, 1997,Vol. 1, p. 139.
  4. Gokan H., Esho S., Ohnishi Y. Dry Etch Resistance of Organic Materials // J. Electrochem. Soc., Solid-State Sci. Technology, 1983. V. 130. P. 143.
  5. Lee J.-H., Ahn K.-D., Cho I. Novel multi-alicyclic polymers for enhancing plasma etch resistance in 193 nm lithography // Polymer. 2001. V. 42. № 4. P. 1757.
  6. Ильин А.С., Кузьмин А.А., Коваленко А.Г. Использование полиэфирсульфона (PES) для электронно-лучевой литографии // Журнал радиоэлектроники: электронный журнал. 2011. №8. URL: http://jre.cplire.ru/jre/aug11/8/text.html
  7. James W. Conway E-beam Lithography Resist Processing // http://snf.stanford.edu/Process/Lithography/ebeamres.html