ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2015, № 9 · МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ЗАДАЧАХ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Об аналитической методике анализа процессов массо- и теплопереноса

Е.Л. Панкратов1, Е.А. Булаева1,2

1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Россия
2 Нижегородский архитектурно-строительный университет, Россия
Полный текст EDN UMAEUN

Аннотация

В данной работе рассматривается аналитическая методика анализа и анализ модели формирования полевого гетеротранзистора. Данная методика позволяет проводить анализ нелинейных массо- и теплопереноса в многослойных структурах с переменными во времени параметрами без сшивки решений на границах раздела между слоями многослойных структур. Данный метод проиллюстрирован на примере анализа формирования полевого гетеротранзистора.

  • массо- и теплоперенос
  • аналитическая методика анализа
  • оптимизация радиоэлектронных устройств
Abstract (in English)

In this paper we consider an analytical approach for analysis and optimization of formation of a field-effect heterotransistors. The approach gives a possibility to analyse nonlinear mass and heat transport in a multilayer structure with time-varying parameters without crosslinking of solutions on interfaces between layers of the multilayer structure. The approach has been illustrated by analysis of manufacturing of a field-effect heterotransistor.

Для цитирования

Панкратов Е.Л., Булаева Е.А. Об аналитической методике анализа процессов массо- и теплопереноса // Журнал радиоэлектроники. – 2015. – № 9.

Литература

  1. Г. Волович. Современная электроника. № 2. С. 10-17 (2006).
  2. А. Керенцев, В. Ланин. Силовая электроника. Вып. 1. С. 34-38 (2008).
  3. А.О. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, А.В. Саченко. ФТП. Т. 43 (7). С. 897-903 (2009).
  4. Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. Т. 35 (8). С. 1013-1017 (2001).
  5. K.K. Ong, K.L. Pey, P.S. Lee, A.T.S. Wee, X.C. Wang, Y.F. Chong, Appl. Phys. Lett. 89 (17), 172111-172114 (2006).
  6. H.T. Wang, L.S. Tan, E. F. Chor. J. Appl. Phys. 98 (9), 094901-094905 (2006).
  7. Ю.В. Быков, А.Г. Еремеев, Н.А. Жарова, И.В. Плотников, К.И. Рыбаков, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Д. Скупов. Известия вузов. Радиофизика. Т.43 (3). С. 836-843 (2003).
  8. В.В. Козловский, Модификация полупроводников пучками протонов, Наука, Санкт-Петербург, 2003.
  9. В.Л. Винецкий, П.А. Холодарь, Радиационная физика полупроводников, Наукова Думка, Киев, 1979.
  10. И.П. Степаненко. Основы микроэлектроники. Советское радио, М., 1980.
  11. M.V. Dunga, L. Chung-Hsun, X. Xuemei, D.D. Lu, A.M. Niknejad, H. Chenming. Modeling Advanced FET Technology in a Compact Model. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 53 (9). P. 157-162 (2006).
  12. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника, Высшая школа, М., 1991.
  13. Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. Основы микроэлектроники, Радио и связь, М., 1991.
  14. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника, Феникс, Ростов-на-Дону, 2001.
  15. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств, Радио и связь, М. 1991.
  16. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.
  17. V.L. Vinetskiy, G.A. Kholodar', Radiative physics of semiconductors. ("Naukova Dumka", Kiev, 1979, in Russian).
  18. E.L. Pankratov. Applied Nanoscience. Vol. 2 (1). P. 71-89 (2012).
  19. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Reviews in Theoretical Science. Vol. 1 (1). P. 58-82 (2013).
  20. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Nanoscience. Vol. 11 (5). P. 1250028-1-1250028-8 (2012).
  21. А.Н. Тихонов, А.А. Самарский, Уравнения математической физики, Наука, М., 1972.
  22. H.S. Carslaw, J.C. Jaeger. Conduction of heat in solids (Oxford University Press, 1964).