Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2015, № 9 · MATHEMATICAL MODELS IN RADIO ELECTRONICS PROBLEMS

Об аналитической методике анализа процессов массо- и теплопереноса

E.L. Pankratov1, E.A. Bulaeva1,2

1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Russia
2 Нижегородский архитектурно-строительный университет, Russia
Full text EDN UMAEUN

Abstract

In this paper we consider an analytical approach for analysis and optimization of formation of a field-effect heterotransistors. The approach gives a possibility to analyse nonlinear mass and heat transport in a multilayer structure with time-varying parameters without crosslinking of solutions on interfaces between layers of the multilayer structure. The approach has been illustrated by analysis of manufacturing of a field-effect heterotransistor.

  • Mass and heat transport
  • analytical approach for analysis
  • optimization of radio-electronic devices
Аннотация (на русском)

Об аналитической методике анализа процессов массо- и теплопереноса

В данной работе рассматривается аналитическая методика анализа и анализ модели формирования полевого гетеротранзистора. Данная методика позволяет проводить анализ нелинейных массо- и теплопереноса в многослойных структурах с переменными во времени параметрами без сшивки решений на границах раздела между слоями многослойных структур. Данный метод проиллюстрирован на примере анализа формирования полевого гетеротранзистора.

For citation

Pankratov E.L., Bulaeva E.A. Об аналитической методике анализа процессов массо- и теплопереноса // Journal of Radio Electronics. – 2015. – No. 9.

References

  1. Г. Волович. Современная электроника. № 2. С. 10-17 (2006).
  2. А. Керенцев, В. Ланин. Силовая электроника. Вып. 1. С. 34-38 (2008).
  3. А.О. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, А.В. Саченко. ФТП. Т. 43 (7). С. 897-903 (2009).
  4. Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. Т. 35 (8). С. 1013-1017 (2001).
  5. K.K. Ong, K.L. Pey, P.S. Lee, A.T.S. Wee, X.C. Wang, Y.F. Chong, Appl. Phys. Lett. 89 (17), 172111-172114 (2006).
  6. H.T. Wang, L.S. Tan, E. F. Chor. J. Appl. Phys. 98 (9), 094901-094905 (2006).
  7. Ю.В. Быков, А.Г. Еремеев, Н.А. Жарова, И.В. Плотников, К.И. Рыбаков, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, В.Д. Скупов. Известия вузов. Радиофизика. Т.43 (3). С. 836-843 (2003).
  8. В.В. Козловский, Модификация полупроводников пучками протонов, Наука, Санкт-Петербург, 2003.
  9. В.Л. Винецкий, П.А. Холодарь, Радиационная физика полупроводников, Наукова Думка, Киев, 1979.
  10. И.П. Степаненко. Основы микроэлектроники. Советское радио, М., 1980.
  11. M.V. Dunga, L. Chung-Hsun, X. Xuemei, D.D. Lu, A.M. Niknejad, H. Chenming. Modeling Advanced FET Technology in a Compact Model. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 53 (9). P. 157-162 (2006).
  12. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника, Высшая школа, М., 1991.
  13. Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. Основы микроэлектроники, Радио и связь, М., 1991.
  14. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника, Феникс, Ростов-на-Дону, 2001.
  15. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств, Радио и связь, М. 1991.
  16. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.
  17. V.L. Vinetskiy, G.A. Kholodar', Radiative physics of semiconductors. ("Naukova Dumka", Kiev, 1979, in Russian).
  18. E.L. Pankratov. Applied Nanoscience. Vol. 2 (1). P. 71-89 (2012).
  19. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Reviews in Theoretical Science. Vol. 1 (1). P. 58-82 (2013).
  20. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Nanoscience. Vol. 11 (5). P. 1250028-1-1250028-8 (2012).
  21. А.Н. Тихонов, А.А. Самарский, Уравнения математической физики, Наука, М., 1972.
  22. H.S. Carslaw, J.C. Jaeger. Conduction of heat in solids (Oxford University Press, 1964).