ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2016, № 11 · СМЕЖНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

О способе увеличения плотности элементов однофазного многоуровнего инвертора

Е.Л. Панкратов1, Е.А. Булаева1

1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Россия
Полный текст (PDF) EDN XYERSN

Аннотация

В данной работе рассматривается способ уменьшения размеров элементов однофазного многоуровнего инвертора на основе биполярных гетеротранзисторов с одновременным увеличением их плотности. Предлагаемый метод базируется на формировании гетероструктуры необходимой конфигурации, диффузионном или ионном легировании необходимых участков гетероструктуры и оптимизации отжига примеси и/или радиационных дефектов.

  • инвертор
  • биполярный гетеротранзистор
  • оптимизация технологического процесса
  • аналитический метод прогноза процессов

Для цитирования

Панкратов Е.Л., Булаева Е.А. О способе увеличения плотности элементов однофазного многоуровнего инвертора // Журнал радиоэлектроники. – 2016. – № 11.

Литература

  1. Z. Ramezani, A.A. Orouji. Mat. Sci. Sem. Proc. Vol. 19. P. 124-129 (2014).
  2. Ch. Dong, J. Shi, J. Wu, Y. Chen, D. Zhou, Z. Hu, H. Xie, R. Zhan, Zh. Zou. Mat. Sci. Sem. Proc. Vol. 20. P. 7-11 (2014).
  3. D. Fathi, B. Forouzandeh. Nano. Vol. 4 (3). P. 171-176 (2009).
  4. D. Fathi, B. Forouzandeh, N. Masoumi. Nano. Vol. 4 (4). P. 233-238 (2009).
  5. A.O. Ageev, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, P.M. Litvin, V.V. Milenin, A.V. Sachenko. Semiconductors. Vol. 43 (7). P. 897-903 (2009).
  6. A.G. Alexenko, I.I. Shagurin. Microcircuitry (Radio and communication, Moscow, 1990).
  7. N.A. Avaev, Yu.E. Naumov, V.T. Frolkin. Basis of microelectronics (Radio and communication, Moscow, 1991).
  8. V.I. Lachin, N.S. Savelov. Electronics (Phoenix, Rostov-na-Donu, 2001).
  9. B. Mitrovic, A. Gurary, and L. Kadinski. J. Cryst. Growth. Vol. 287, 656 (2006).
  10. R. Zuo, H. Zhanga, X. Liu, J. Cryst. Growth. Vol. 293, 498 (2006).
  11. M. G. Mynbaeva, E. N. Mokhov, A. A. Lavrent'ev, K. D. Mynbaev. Techn. Phys. Lett. Vol. 34 (17), 13 (2008).
  12. S.N. Heo, Y. Ishiguro, R. Hayakawa, T. Chikyow, Y. Wakayama. Applied Physics Letters Materials. Vol. 4 (3). P. 030901-1-030901-7 (2016).
  13. Z.Yu. Gotra. Technology of microelectronic devices (Radio and communication, Moscow, 1991).
  14. V.L. Vinetskiy, G.A. Kholodar', Radiative physics of semiconductors. ("Naukova Dumka", Kiev, 1979, in Russian).
  15. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. Vol. 61. № 2. P. 289-388.
  16. M.L. Krasnov, A.I. Kiselev, G.I. Makarenko. Integral equations ("Science", Moscow, 1976).
  17. E.L. Pankratov. Russian Microelectronics. 2007. V.36 (1). P. 33-39.
  18. E.L. Pankratov. Int. J. Nanoscience. Vol. 7 (4-5). P. 187-197 (2008).
  19. E.L. Pankratov. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 7 (1). P. 289-295 (2010).
  20. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 10 (4). P. 888-893 (2013).
  21. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Micro-Nano Scale Transp. Vol. 4 (1). P. 17-31 (2014).
  22. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Nanoscience. Vol. 11 (5). P. 1250028-1250035 (2012).
  23. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 11 (1). P. 91-101 (2014).