Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2016, № 11 · RADIO ELECTRONICS RELATED PROBLEMS

О способе увеличения плотности элементов однофазного многоуровнего инвертора

E.L. Pankratov1, E.A. Bulaeva1

1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Russia
Full text (PDF) EDN XYERSN

Abstract

В данной работе рассматривается способ уменьшения размеров элементов однофазного многоуровнего инвертора на основе биполярных гетеротранзисторов с одновременным увеличением их плотности. Предлагаемый метод базируется на формировании гетероструктуры необходимой конфигурации, диффузионном или ионном легировании необходимых участков гетероструктуры и оптимизации отжига примеси и/или радиационных дефектов.

  • инвертор
  • биполярный гетеротранзистор
  • оптимизация технологического процесса
  • аналитический метод прогноза процессов
Аннотация (на русском)

О способе увеличения плотности элементов однофазного многоуровнего инвертора

В данной работе рассматривается способ уменьшения размеров элементов однофазного многоуровнего инвертора на основе биполярных гетеротранзисторов с одновременным увеличением их плотности. Предлагаемый метод базируется на формировании гетероструктуры необходимой конфигурации, диффузионном или ионном легировании необходимых участков гетероструктуры и оптимизации отжига примеси и/или радиационных дефектов.

For citation

Pankratov E.L., Bulaeva E.A. О способе увеличения плотности элементов однофазного многоуровнего инвертора // Journal of Radio Electronics. – 2016. – No. 11.

References

  1. Z. Ramezani, A.A. Orouji. Mat. Sci. Sem. Proc. Vol. 19. P. 124-129 (2014).
  2. Ch. Dong, J. Shi, J. Wu, Y. Chen, D. Zhou, Z. Hu, H. Xie, R. Zhan, Zh. Zou. Mat. Sci. Sem. Proc. Vol. 20. P. 7-11 (2014).
  3. D. Fathi, B. Forouzandeh. Nano. Vol. 4 (3). P. 171-176 (2009).
  4. D. Fathi, B. Forouzandeh, N. Masoumi. Nano. Vol. 4 (4). P. 233-238 (2009).
  5. A.O. Ageev, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, P.M. Litvin, V.V. Milenin, A.V. Sachenko. Semiconductors. Vol. 43 (7). P. 897-903 (2009).
  6. A.G. Alexenko, I.I. Shagurin. Microcircuitry (Radio and communication, Moscow, 1990).
  7. N.A. Avaev, Yu.E. Naumov, V.T. Frolkin. Basis of microelectronics (Radio and communication, Moscow, 1991).
  8. V.I. Lachin, N.S. Savelov. Electronics (Phoenix, Rostov-na-Donu, 2001).
  9. B. Mitrovic, A. Gurary, and L. Kadinski. J. Cryst. Growth. Vol. 287, 656 (2006).
  10. R. Zuo, H. Zhanga, X. Liu, J. Cryst. Growth. Vol. 293, 498 (2006).
  11. M. G. Mynbaeva, E. N. Mokhov, A. A. Lavrent'ev, K. D. Mynbaev. Techn. Phys. Lett. Vol. 34 (17), 13 (2008).
  12. S.N. Heo, Y. Ishiguro, R. Hayakawa, T. Chikyow, Y. Wakayama. Applied Physics Letters Materials. Vol. 4 (3). P. 030901-1-030901-7 (2016).
  13. Z.Yu. Gotra. Technology of microelectronic devices (Radio and communication, Moscow, 1991).
  14. V.L. Vinetskiy, G.A. Kholodar', Radiative physics of semiconductors. ("Naukova Dumka", Kiev, 1979, in Russian).
  15. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. Vol. 61. № 2. P. 289-388.
  16. M.L. Krasnov, A.I. Kiselev, G.I. Makarenko. Integral equations ("Science", Moscow, 1976).
  17. E.L. Pankratov. Russian Microelectronics. 2007. V.36 (1). P. 33-39.
  18. E.L. Pankratov. Int. J. Nanoscience. Vol. 7 (4-5). P. 187-197 (2008).
  19. E.L. Pankratov. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 7 (1). P. 289-295 (2010).
  20. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 10 (4). P. 888-893 (2013).
  21. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Micro-Nano Scale Transp. Vol. 4 (1). P. 17-31 (2014).
  22. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. Int. J. Nanoscience. Vol. 11 (5). P. 1250028-1250035 (2012).
  23. E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva. J. Comp. Theor. Nanoscience. Vol. 11 (1). P. 91-101 (2014).