ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2006, № 5 · ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Электрон-электронные взаимодействия в умеренно легированном гетеропереходе AlxGa1-x/GaAas

А.Б. Дюбуа1

1 Рязанский институт открытого обраования, Россия

Аннотация

Исследован вклад внутризонной электрон-электронной релаксации в затухание квантования Ландау осцилляций поперечного магнитосопротивления. Получены выражения параметрических зависимостей от температуры, которые объясняют экспериментальные зависимости для умеренно легированного гетероперехода (x=0.3), аппроксимированного треугольным потенциальным профилем, при условии заполнения основной подзоны размерного квантования.

Для цитирования

Дюбуа А.Б. Электрон-электронные взаимодействия в умеренно легированном гетеропереходе AlxGa1-x/GaAas // Журнал радиоэлектроники. – 2006. – № 5.

Литература

  1. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. М.: "Мир", 416 с., (1985).
  2. Д. Пайнс, Ф. Нозьер, Теория квантовых жидкостей, М., "Мир", 382 с., (1967).
  3. M. Slutzky, O. Entin-Wohlman, Y. Berk, and A. Palevsky // Phys. Rev. B, 53, (7) 4065, (1996).
  4. V.I. Kadushkin, E.L. Shangina, F.M. Tsahhaev // Phys. Low-Dim. Struct. 11/12, 43, (1998).