Электрон-электронные взаимодействия в умеренно легированном гетеропереходе AlxGa1-x/GaAas
Abstract
Исследован вклад внутризонной электрон-электронной релаксации в затухание квантования Ландау осцилляций поперечного магнитосопротивления. Получены выражения параметрических зависимостей от температуры, которые объясняют экспериментальные зависимости для умеренно легированного гетероперехода (x=0.3), аппроксимированного треугольным потенциальным профилем, при условии заполнения основной подзоны размерного квантования.
Аннотация (на русском)
Электрон-электронные взаимодействия в умеренно легированном гетеропереходе AlxGa1-x/GaAas
Исследован вклад внутризонной электрон-электронной релаксации в затухание квантования Ландау осцилляций поперечного магнитосопротивления. Получены выражения параметрических зависимостей от температуры, которые объясняют экспериментальные зависимости для умеренно легированного гетероперехода (x=0.3), аппроксимированного треугольным потенциальным профилем, при условии заполнения основной подзоны размерного квантования.
For citation
Diubua A.B. Электрон-электронные взаимодействия в умеренно легированном гетеропереходе AlxGa1-x/GaAas // Journal of Radio Electronics. – 2006. – No. 5.
References
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. М.: "Мир", 416 с., (1985).
- Д. Пайнс, Ф. Нозьер, Теория квантовых жидкостей, М., "Мир", 382 с., (1967).
- M. Slutzky, O. Entin-Wohlman, Y. Berk, and A. Palevsky // Phys. Rev. B, 53, (7) 4065, (1996).
- V.I. Kadushkin, E.L. Shangina, F.M. Tsahhaev // Phys. Low-Dim. Struct. 11/12, 43, (1998).