ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН English Войти Подать статью
Журнал радиоэлектроники Электронный научный журнал · eISSN 1684-1719
2008, № 5 · ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa1-xFexSe2 в переменных электрических полях

С.Н. Мустафаева1

1 Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана, Азербайджан
Полный текст (PDF) EDN KUICIV

Аннотация

Изучено влияние частичного замещения галлия железом в слоистых монокристаллах TlGaSe2 на диэлектрические свойства полученных кристаллов в переменных электрических полях. Исследованы частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь (tgd), диэлектрической проницаемости (e) и ac-проводимости вдоль С-оси кристаллов в частотном диапазоне 5?104?3.5?107 Hz. Установлено, что в переменных электрических полях в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 (x = 0; 0.001; 0.005 и 0.01) имеет место прыжковая проводимость sac ~ f 0.8 по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Установлено, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах TlGa1-xFexSe2 граничная частота, при которой имел место f 0.8 - закон для проводимости, смещалась в сторону более низких частот. При высоких частотах в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 на зависимости sac(f) наблюдается суперлинейный участок fn, где n=1.1?2.0. Оценены плотность локализованных состояний, ответственных за ac-проводимость, среднее время и расстояние прыжков, разброс ловушечных состояний вблизи уровня Ферми в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 различного состава. Показано, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах удельное сопротивление их уменьшается, среднее время и расстояние прыжков увеличиваются, а частота, при которой начинают проявляться релаксационные потери, смещается в сторону низких частот.

Для цитирования

Мустафаева С.Н. Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa1-xFexSe2 в переменных электрических полях // Журнал радиоэлектроники. – 2008. – № 5.

Литература

  1. С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 1, 48 (1998).
  2. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996).
  3. С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004).
  4. А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 45, 1, 68 (2003).
  5. S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Materials Chemistry and Physics 40, 2, 142 (1995).
  6. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорган. материалы 33, 7, 790 (1997).
  7. С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. ФТТ 43, 3, 427 (2001).
  8. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974) 472 с.
  9. M.Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971).
  10. С.Н. Мустафаева. Неорган. материалы 30, 5, 619 (1994).
  11. С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов, Э.М. Керимова. Известия НАН Азерб. Серия физ.-техн. и мат. наук 23, 5, 117 (2003).