Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa1-xFexSe2 в переменных электрических полях
Abstract
Изучено влияние частичного замещения галлия железом в слоистых монокристаллах TlGaSe2 на диэлектрические свойства полученных кристаллов в переменных электрических полях. Исследованы частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь (tgd), диэлектрической проницаемости (e) и ac-проводимости вдоль С-оси кристаллов в частотном диапазоне 5?104?3.5?107 Hz. Установлено, что в переменных электрических полях в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 (x = 0; 0.001; 0.005 и 0.01) имеет место прыжковая проводимость sac ~ f 0.8 по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Установлено, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах TlGa1-xFexSe2 граничная частота, при которой имел место f 0.8 - закон для проводимости, смещалась в сторону более низких частот. При высоких частотах в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 на зависимости sac(f) наблюдается суперлинейный участок fn, где n=1.1?2.0. Оценены плотность локализованных состояний, ответственных за ac-проводимость, среднее время и расстояние прыжков, разброс ловушечных состояний вблизи уровня Ферми в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 различного состава. Показано, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах удельное сопротивление их уменьшается, среднее время и расстояние прыжков увеличиваются, а частота, при которой начинают проявляться релаксационные потери, смещается в сторону низких частот.
Аннотация (на русском)
Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa1-xFexSe2 в переменных электрических полях
Изучено влияние частичного замещения галлия железом в слоистых монокристаллах TlGaSe2 на диэлектрические свойства полученных кристаллов в переменных электрических полях. Исследованы частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь (tgd), диэлектрической проницаемости (e) и ac-проводимости вдоль С-оси кристаллов в частотном диапазоне 5?104?3.5?107 Hz. Установлено, что в переменных электрических полях в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 (x = 0; 0.001; 0.005 и 0.01) имеет место прыжковая проводимость sac ~ f 0.8 по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Установлено, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах TlGa1-xFexSe2 граничная частота, при которой имел место f 0.8 - закон для проводимости, смещалась в сторону более низких частот. При высоких частотах в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 на зависимости sac(f) наблюдается суперлинейный участок fn, где n=1.1?2.0. Оценены плотность локализованных состояний, ответственных за ac-проводимость, среднее время и расстояние прыжков, разброс ловушечных состояний вблизи уровня Ферми в монокристаллах TlGa1-xFexSe2 различного состава. Показано, что по мере увеличения содержания железа в кристаллах удельное сопротивление их уменьшается, среднее время и расстояние прыжков увеличиваются, а частота, при которой начинают проявляться релаксационные потери, смещается в сторону низких частот.
For citation
Mustafaeva S.N. Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa1-xFexSe2 в переменных электрических полях // Journal of Radio Electronics. – 2008. – No. 5.
References
- С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 1, 48 (1998).
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996).
- С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004).
- А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 45, 1, 68 (2003).
- S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Materials Chemistry and Physics 40, 2, 142 (1995).
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорган. материалы 33, 7, 790 (1997).
- С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. ФТТ 43, 3, 427 (2001).
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974) 472 с.
- M.Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971).
- С.Н. Мустафаева. Неорган. материалы 30, 5, 619 (1994).
- С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов, Э.М. Керимова. Известия НАН Азерб. Серия физ.-техн. и мат. наук 23, 5, 117 (2003).