Влияние переотражений во входном тракте отражательного усилителя СВЧ сигналов на его основные характеристики
Abstract
В работе представлены результаты исследования влияния входной цепи СВЧ отражательного транзисторного усилителя (OPTA - One Port Transistor Amplifier), с последовательной положительной обратной связью, на основные характеристики. Приводятся уточненные выражения для расчета коэффициентов передачи и шума. Используется новый теоретический подход к данному типу усилителей, определяющий условия режима усиления. Приводятся расчетные и экспериментальные данные, иллюстрирующие работу усилителя в дециметровом диапазоне волн.
Аннотация (на русском)
Влияние переотражений во входном тракте отражательного усилителя СВЧ сигналов на его основные характеристики
В работе представлены результаты исследования влияния входной цепи СВЧ отражательного транзисторного усилителя (OPTA - One Port Transistor Amplifier), с последовательной положительной обратной связью, на основные характеристики. Приводятся уточненные выражения для расчета коэффициентов передачи и шума. Используется новый теоретический подход к данному типу усилителей, определяющий условия режима усиления. Приводятся расчетные и экспериментальные данные, иллюстрирующие работу усилителя в дециметровом диапазоне волн.
For citation
Venger A.P., Ilin G.N. Влияние переотражений во входном тракте отражательного усилителя СВЧ сигналов на его основные характеристики // Journal of Radio Electronics. – 2008. – No. 7.
References
- A.P.Venguer, J.L.Medina, R.A.Chávez, A. Velázquez, "Low Noise One - Port Microwave Transistor Amplifier", Microwave and Optical Technology Letters, vol 33, no.2, pp. 100-104, April 20, 2002.
- A.P.Venguer, J.L.Medina, R.A.Chávez, A.Velázquez, "A New Microwave One - Port Transistor Amplifier with High Performance for L- Band Operation". WSEAS International Conferences, Cancún México, CD-ROM Proceedings, pp. 2061-2066, May 12-16, 2002.
- A.P.Venguer, J.L.Medina, R.A.Chávez, A.Velázquez, A.Zamudio, G.N.Il'in "The Teoretical and Experimental Analysis of Resonant Microwave Reflection Amplifiers" Microwave Journal, vol. 47, no. 10, pp. 80-93, October, 2004.
- H.Tohyama, H.Mizuno, "23-GHz Band GaAs MESFET Reflection Type Amplifier", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. MTT-27, no.5, May, pp. 408-411, 1979.
- P.Gardner and D.K. Paul, "Aspects of the design of low noise, negative resistance reflection mode transistor amplifiers", IEEE Trans Microwave Theory Tech., pp. 1869-1875, Nov. 1991.
- John W.Boyles, "The Oscillator as a Reflection Amplifier: an Intuitive Approach to Oscillator Design" Microwave Journal, pp. 83-98, June, 1986
- С.В. Переслегин, Н.Н. Юрокин. "Оценка составляющих паразитной модуляции в модуляционном СВЧ - радиометре". Вопросы Радиоэлектроники, серия Общетехническая, н. 24, стр. 42-50, 1964
- V. Adamian, A. Uhlir. "Simplified noise evaluation of microwave receivers". IEEE Trans. Instrum. and Meas., 33, no. 2, pp. 136-140, 1984
- G.F. Engen. "A new method of characterizing amplifier noise performance". IEEE Trans. Instrum. and Meas., vol. IM-19, no.4, pp.344-349, Nov.1970