Репрограммируемая однородная вычислительная структура на основе ПЭМП
Abstract
Metal-jumper (MP) is the result of polar dependent electro migration in silicon (PDEM. It is possible to change the thickness of the MP by the the influence of specially shaped pulses. The resistive memory matrix (RMM) and the switching matrix (SM) can be made on the basis of the MP. In turn the new device: programmable logic - reprogrammable homogeneous computing structure based on PDEM can be created on the basis of RMM and SM.
- polar dependent electro migration in silicon
- resistive matrix
- switching matrix
- programmable logic
- metal-jumper
Аннотация (на русском)
Репрограммируемая однородная вычислительная структура на основе ПЭМП
Металлоподобная перемычка (МП) возникает в результате полярнозависимого электромассопереноса в кремнии (ПЭМП). Воздействием специально сформированных импульсов возможно изменять толщину МП. На основе МП могут быть изготовлены резистивная матрица памяти (РМП) и коммутационная матрица (КМ). В свою очередь на основе РМП и КМ может быть создано новое устройство программируемой логики - репрограммируемая однородная вычислительная структура на основе ПЭМП.
For citation
Panfilov B.A., Panfilov I.B. Репрограммируемая однородная вычислительная структура на основе ПЭМП // Journal of Radio Electronics. – 2016. – No. 1.
References
- Панфилов Б.А. Патент на изобретение №2471264 «Способ регулирования сопротивления твердотельных приборов и резистивная матрица памяти на основе полярнозависимого электромассопереноса в кремнии», опубликован в бюллетене «Изобретения. Товарные знаки» 27.12.2012 г., вып.36.
- Хорст Фейстель. Криптография и компьютерная безопасность. Пер. А. Винокурова по изданию: Horst Feistel. Cryptography and Computer Privacy, Scientific American, May 1973, Vol. 228, No. 5, pp. 15-23 Андрей Винокуров 23.12.00 URL: http://www.enlight.ru/crypto/articles/feistel/feist_i.htm (дата обращения: 5.06. 2015)
- А. Строганов, В. Небольсин, А. Быстрицкий, М. Мотылев ПЛИС типа ППВМ: от 2D к 3D//КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ. № 3. 2012. С. 95-104. -URL: http://kit-e.ru/articles/plis/2012_3_95.php (дата обращения: 5.06. 20015)