Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2016, № 12 · SOLID STATE ELECTRONICS

Механизм изменения энергетики однотранзисторных генераторов при переходе к шумовым колебаниям

S.V. Savelev1, V.E. Sizov1

1 Kotelnikov IRE RAS, Moscow, Russia
Full text (PDF) UDC 621.391, 621.396 EDN YFYPDN

Abstract

For the first time the reasons of reduction of value of output power and efficiency are theoretically and experimentally investigated at generation of chaotic fluctuations in one-transistor generators of big power in comparison with their regular modes of self-oscillations. It is established that reduction of power parameters is connected with the mechanism of generation of chaos in such systems representing sequence of tsug with any number of fluctuations and a casual initial phase. Numerical values of falling of efficiency of such systems are established upon transition to the chaotic mode.

  • one-transistor generator
  • regular and chaotic oscillations
Аннотация (на русском)

Механизм изменения энергетики однотранзисторных генераторов при переходе к шумовым колебаниям

Впервые теоретически и экспериментально исследуются причины уменьшения значения выходной мощности и кпд при переходе от генерирования регулярных колебаний к хаотическим в однотранзисторных генераторах большой мощности. Установлено, что уменьшение энергетических параметров связано с механизмом генерации хаоса в таких системах, представляющим собой генерацию последовательности цугов с произвольным числом колебаний и случайной начальной фазой. Установлен коэффициент уменьшения значения кпд таких систем при переходе от регулярного режима к хаотическому.

For citation

Savelev S.V., Sizov V.E. Механизм изменения энергетики однотранзисторных генераторов при переходе к шумовым колебаниям // Journal of Radio Electronics. – 2016. – No. 12.

References

  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Москва. «Мир». 1984. Книга 1. Изд. № 20/2918. Ч. 2, гл. 3, с. 190. (S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. New Jersey. Bell Laboratories, Incorporated Murray Hill. 1981.)
  2. Савельев С.В. Микроволновые колебания в системе на мощном биполярном транзисторе. // Электронная техника. Серия: Электроника СВЧ. 2012. Вып. 3 (514). С. 41 - 45.
  3. Савельев С.В. Регулярная и хаотическая динамика генераторов сверхвысоких частот на биполярных транзисторах большой мощности. // РЭ. 2004. Т. 49. № 7. С. 850 - 858.