Диагностика концентрации свободных носителей эпитаксиальных пленок n-InxGa1-xAs методом комбинационного рассеяния света

Abstract

Исследованы особенности спектров комбинационного рассеяния света в тройных соединениях n-In0.1Ga0.9As, при n=1017 - 5.1018 см-3. Показано, что поведение высокочастотной моды L₊ может быть описано в рамках модели связанных фонон-плазмоных мод в приближении Друде. На основе предложенной теории и экспериментальных данных проведена оценка концентрации свободных носителей.

• комбинационное рассеяние
• полупроводники
• связанные фонон-плазмон моды

For citation

References

1. Mooradian A., Wright G.B. Observation of the Interaction of Plasmons with Longitudinal Optical Phonons in GaAs.// Phys. Rev. Lett. 16, 999, 1966.
2. Абстрейтер Г., Кардона М., Пинчук А. Рассеяние света в твердых телах. "Мир", Москва, 1986, вып.4, стр. 12- 182.
3. Yuasa T., Naritsuka S., Mannoh M., Shinozaki K., Nomura Y., Mihara M., Ishii M. Raman scattering from coupled Plasmon - LO-phonon modes in n-type AlxGa1-xAs.// Phys. Rev. B, 33, 1222, 1986.
4. Китов И.А."Особенности комбинационного рассеяния света в легированных соединениях n-GaAs и n-InxGa1-xAs", диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Москва, 1994.
5. Maslar, J.E., et al., Electron-phonon interactions in n-type In0.53Ga0.47As and In0.52Al0.48As studied by inelastic light scattering. Physical Review B, 1994. 50 p. 17143
6. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Колмакова Т.П, Пономарев А.С. Комбинационное рассеяние света связанными фонон-плазмонными модами в тройных соединениях InGaAs.// Тезисы докладов научно-технической конференции "Оптика полупроводников", Ульяновск, 2000 г., стр. 15.
7. Cuscу, R., et al., Raman scattering by LO phonon-plasmon coupled modes in n-type In0.53Ga0.47As. Physical Review B, 2001. 65 p. 035210.
8. Emura, S., et al., Internal-stress effects on Raman spectra of InxGa1-xAs on InP. Physical Review B, 1988. 38 p. 3280.
9. Авакянц Л.П., Китов И.А., Червяков А.В. Автоматизированная установка для разностной спектроскопии комбинационного рассеяния.//ПТЭ, Т 2, с.145-148, 1988.
10. Thomas M.B., Wooley J.C. Plasma edge reflectance measurements in GaxIn(1-x)As and InAsxSb(1-x) alloys.// Can. J. Phys., 49 (1971), 2052.
11. A Raymond, J L Robert and C Bernard The electron effective mass in heavily doped GaAs 1979 J. Phys. C: Solid State Phys. 12 2289-2293.