Стойкость гетеропереходного светоизлучающего прибора к воздействию СВЧ излучения
Abstract
The purpose of the work was to develop a scheme for the experimental setup and the methodology for conducting studies to assess the stability of modern heterojunction light-emitting semiconductor devices to the effect of intense microwave radiation. A quantitative evaluation of the device's resistance to external microwave radiation was made based on the values of the minimum power density of the external electromagnetic field, under which either a decrease in the quality of the device's functioning occurs or the device becomes inoperable. The installation scheme was developed taking into account the results of computational studies of the influence of the irradiation time and the pulse parameters (duration, frequency) on the temperature regime of the heterojunction light-emitting structure, obtained using the previously developed thermoelectric model. A project of an experimental setup for studying the effect of high-power microwave radiation on the characteristics of a heterojunction light-emitting structure, possible modulator circuits for a three-centimeter pulsed magnetron and a microwave path is presented. Preliminary estimates of the durability of devices with heterojunction light-emitting structures (modern LEDs were chosen) to the effect of intense electromagnetic radiation were carried out in an experimental setup that included a generator of quasi-continuous high-frequency oscillations. Dependences of the decrease in the radiation power of modern LEDs on the number of cycles of exposure to microwave radiation measured at different currents are obtained.
- light-emitting diode
- microwave power
- microwave path
- pulse modulator
- reduction of the optical power
Аннотация (на русском)
Стойкость гетеропереходного светоизлучающего прибора к воздействию СВЧ излучения
Рассматривается методика и схема экспериментальной установки для проведения исследований стойкости современных гетеропереходных светоизлучающих полупроводниковых приборов к воздействию интенсивного СВЧ излучения. Представлены результаты экспериментальных исследований изменения оптической мощности современных InGaN/GaN светоизлучающих диодов в результате воздействия СВЧ излучения, выполненных на установке, включающей в себя генератор квазинепрерывных СВЧ колебаний.
For citation
Vesnin V.L., Sergeev V.A., Khodakov A.M., Frolov I.V. Стойкость гетеропереходного светоизлучающего прибора к воздействию СВЧ излучения // Journal of Radio Electronics. – 2018. – No. 8. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2018.8.20
References
- ГОСТ Р 51317.4.4-99 Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к наносекундным импульсным помехам. Требования и методы испытаний. М: ГОССТАНДАРТ РОССИИ,1999.
- Ходаков А. М., Сергеев В. А. Оценка в рамках теплоэлектрической модели стойкости светодиода к воздействию периодической последовательности СВЧ импульсов. Журнал радиоэлектроники . 2017. №10. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/oct17/7/text.pdf
- Ходаков А. М., Сергеев В. А., Гавриков А. А. Теплоэлектрические процессы в гетеропереходном светоизлучающем диоде при воздействии на него мощного импульсного СВЧ излучения. Журнал радиоэлектроники . 2017. №3. Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/mar17/6/text.pdf
- Усыченко В. Г., Сорокин Д. Н. Стойкость сверхвысокочастотных радиоприемных устройств к электромагнитным воздействиям. М: Радиотехника 2017.
- Демаков А. В., Комнатнов М. Е., Газизов Т. Р. Обзор исследований в области разработки и применения реверберационных камер для испытаний на электромагнитную совместимость//Системы управления, связи и безопасности. 2018. № 2. С. 151-190. URL: http://sccs.intelgr.com/archive/2018-02/09-Demakov.pdf
- Ключник А. В., Пирогов Ю. А., Солодов А. В. Исследование стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения.//Радиотехника и электроника, 2011, том 56, № 3, с. 370-374.