Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин

Abstract

Рассмотрен метод определения зависимости проводимости высокоомной полупроводниковой пластины от расстояния до ее поверхности. Расчеты на компьютере в одномерном приближении показали, что эта обратная задача может быть решена путем измерений добротностей открытого конфокального резонатора. Эти измерения должны проводиться на нескольких частотах при четырех положениях пластины в области перетяжки пучка в резонаторе.

For citation

References

1. Рейви К. Дефекты и примеси в Si. // Москва. Изд. Мир. 1984.
2. Gardner E.E., Kappallo W. and Gorden C.R. // Appl. Phys. Letters, 1966, V. 9. P. 432.
3. Engstrom H. // J.Appl.Phys., 1980, V. 51. N. 10. P. 5245.
4. Wagner H., Schaefer R. // J.Appl.Phys., 1979, V. 50. P. 2697.
5. Toshio Abe,Yoshio Nishi. // Jap.J.Appl.Phys., 1968, V. 7. N. 4. P. 397.
6. Усанов Д.А.,Буренин П.В. // Микроэлектроника, 1975, Т. 4. Вып. 2. С. 140.
7. Гордиенко Ю.Е., Дудкин Ю.А., Бородин Б.Г., Федотов Д.А. // ПТЭ, 1983, N. 2. С.204.
8. Ахманаев В.Б., Медведев Ю.В., Петров А.С. // ПТЭ, 1975, N. 5. С. 257.
9. Данилов Г.Н., Медведев Ю.В., Петров А.С. // ПТЭ, 1973, N. 3. С. 224.
10. Кошелев О.Г., Форш Е.А. // Изв.РАН, 1998, T. 62. N. 12. C. 2422.
11. Еру И.И. // Успехи совр. радиоэлектроники, 1997, N. 3. С. 51.
12. Sze S.M., Irvin J.C. // Sol.State Electr., 1968, V. 11. P. 599.
13. Prince M.B. // Phys. Rev., 1954, V. 93. N. 6. P. 1204.
14. Breeden K.H. and Langley J.B. // Rev.of Scientific Instruments, 1969, V. 40. P.1162.
15. Власов С.Н., Копосова Е.В., Мазур А.П., Паршин В.В. // Изв. ВУЗов, Радиофизика, 1996, Т. XXXIX. С. 615.
16. Хасс Г. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технология применения. Сборник статей. Т.1. Москва. Изд. Мир. 1967. С.93.
17. Дрягин Ю.А., Паршин В.В. // А.с. СССР N 1539681, кл. G 01 R 27/26, 1990, Опубл. 30.01.90. Бюл. изобретений N 4.
18. Нистирюк П.В. // Материалы VII-ой Международной Крымской Микроволновой конференции, 1997, C. 608.