Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе

Abstract

Рассмотрены результаты исследований электрофизических и фотоэлектрических свойств транзисторных структур, содержащих распределенный по всей площади кристалла эмиттерный p+-n - переход и локальный контакт к n - области с поверхностным потенциальным барьером, возникающим либо за счет наличия поверхностных состояний, либо за счет локального введения в приповерхностный слой атомов примеси, создающих в запрещенной зоне глубокие энергетические уровни. Приведены параметры и характеристики созданных на основе особенностей свойств структур оригинальных функциональных приборов.

Аннотация (на русском)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе

Рассмотрены результаты исследований электрофизических и фотоэлектрических свойств транзисторных структур, содержащих распределенный по всей площади кристалла эмиттерный p+-n - переход и локальный контакт к n - области с поверхностным потенциальным барьером, возникающим либо за счет наличия поверхностных состояний, либо за счет локального введения в приповерхностный слой атомов примеси, создающих в запрещенной зоне глубокие энергетические уровни. Приведены параметры и характеристики созданных на основе особенностей свойств структур оригинальных функциональных приборов.

For citation

References

1. Муравский Б.С., Черный В.Н., Яманов И.Л., Потапов А.Н., Жужа М.А. //Микроэлектроника. 1989. Т18. №4. С.304-309.
2. Муравский Б.С., Кузнецов В.И., Фризен Т.И., Черный В.Н. // ФТП, 1972, Т6, вып 11, С. 2114 - 2122.
3. Кокин А.А. // Микроэлектроника, 1991, Т 20, вып 5, С. 424-434.
4. Muravskiy B.C., Kulikov O.N. //Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, USA Charlottesville, 1999, p. 157 -160.
5. Муравский Б.С. и др. // АС ССР №281651 приоритет от 3.12. 1968.
6. Муравский Б.С. и др. // АС ССР №504438 приоритет от 26.04. 1974.
7. Муравский Б.С. // АС ССР №660536 приоритет от 17.06. 1974.
8. Муравский Б.С. и др. // АС ССР №1438537 приоритет от 30.12. 1986.
9. Муравский Б.С. и др. // АС ССР №1438538 приоритет от 15.06. 1986.
10. Муравский Б.С. и др. // АС ССР №1551179 приоритет от 18.12. 1987.
11. Муравский Б.С. и др. //АС ССР №1804251 приоритет от 23.08. 1990.
12. Muravskiy B.C., Grigorian L.R. // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, USA Charlottesville, 1997, p. 233 - 236.
13. Муравский Б.С., Кузнецов В.И. // Радиотехника и электроника. 1980. Т25. №5. С.1112-1114.
14. Долуденко В.Г., Муравский Б.С. // Поверхность. (физика, химия, механика). 1989. №12. С. 101-105.
15. П. Хоровиц, У.Хилл. Искусство схемотехники. // М. Мир., 1993, Т2, 370 С.