Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2010, № 7 · RADIO ENGINEERING

Модель накопления повреждений интегральными микросхемами в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения

A.V. Kliuchnik1, I.A. Pirogov2, A.V. Solodov1

1 Федеральное государственное унитарное предприятие "Московский радиотехнический институт Российской Академии наук"
2 Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Центр магнитной томографии и спектроскопии, Russia
Full text (PDF) UDC 621.3.049.7.029 EDN NCFRRZ

Abstract

Представлены результаты анализа влияния накопления тепла в кристалле ИМС, при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения, на формирование дефектов в структуре ИМС и вероятность её повреждения.

  • модель
  • накопление
  • повреждение
  • интегральные микросхемы
  • радиоимпульс
Аннотация (на русском)

Модель накопления повреждений интегральными микросхемами в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения

Представлены результаты анализа влияния накопления тепла в кристалле ИМС, при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения, на формирование дефектов в структуре ИМС и вероятность её повреждения.

For citation

Kliuchnik A.V., Pirogov I.A., Solodov A.V. Модель накопления повреждений интегральными микросхемами в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // Journal of Radio Electronics. – 2010. – No. 7.

References

  1. Риккетс Л.У., Дж. Э. Бриджес, Дж. Майлетта. Электромагнитный импульс и методы защиты. М., Атомиздат, 1979.
  2. G.C.Messenger, M.S.Ash. «The Effects of Radiation on electronic systems», N.Y., 1986.
  3. Антипин В.В., Годовицын В.А., Громов Д.В., Кожевников А.О., Раваев А.А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. // Зарубежная радиоэлектроника.-1995. №1.-С. 37-52.
  4. Waunch D.C., Bell R.R. Determination of threshold failure levels semiconductor diodes and transistors due to pulse voltage. // IEEE Trans. Nucl. Sciens.-1968.-Vol. NS - 15, N6.-P. 244-259.
  5. Tasca D.M. Pulse power failure modes in semiconductors. // IEEE Trans. Nucl. Sciens. - 1970. - Vol. NS-17, N2. - P. 364-372.
  6. Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В. Повреждение цифровых интегральных под действием импульсного радиоизлучения. // Тезисы докладов на 11-й Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, 2001, - С.300
  7. Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В. Статистика отказов цифровых ИМС, вызванных импульсным радиоизлучением. // Тезисы докладов на 9-й Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, 1999, - С.329-330.
  8. Ключник А.В., Солодов А.В. Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением. // Радиотехника. - 2010. №2. - С.37-41.
  9. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики.- М.: Наука, 1972.