Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2010, № 8 · RADIO ENGINEERING

Методические аспекты исследования стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения

A.V. Kliuchnik1, I.A. Pirogov2, A.V. Solodov1

1 Московский радиотехнический институт РАН, Russia
2 Московский государственный университет М. В. Ломоносова Центр магнитной томографии и спектроскопии, Russia
Full text (PDF) UDC 621.3.049.7.029 EDN NCFRUH

Abstract

Представлен анализ ключевых моментов в методике исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Проведено сравнение условий экспериментальных исследований с реальными условиями облучения ИМС, расположенных на печатных платах радиоэлектронной аппаратуры.

  • методика
  • стойкость
  • повреждение
  • интегральные микросхемы
  • радиоимпульс
Аннотация (на русском)

Методические аспекты исследования стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения

Представлен анализ ключевых моментов в методике исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Проведено сравнение условий экспериментальных исследований с реальными условиями облучения ИМС, расположенных на печатных платах радиоэлектронной аппаратуры.

For citation

Kliuchnik A.V., Pirogov I.A., Solodov A.V. Методические аспекты исследования стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // Journal of Radio Electronics. – 2010. – No. 8.

References

  1. 1.Магда И.И., Блудов С.Б., Гадецкий Н.П., Кравцов К.А., Пушкарев С.С., Ткач Ю.В., Чумаков В.И., Лобков М.М. Механизмы деградации ИЭТ в полях мощного СВЧ излучения // Петербургский журнал электроники, 1995, №3, с.56-59.
  2. Старостенко В.В., Таран Е.П., Григорьев Е.В., Борисов А.А. Воздействие электромагнитных поле на интегральные микросхемы // Измерительная техника, 1998, №4, с.65-67.
  3. Clayborne D. Taylor, Nicolas H. Younau. Effects from high power microwave illumination. // Microwave Journal, 1988, 35, №6, pp.80-96.
  4. Tasca D.M. Pulse power failure modes in semiconductors // IEEE Trans., 1970, Vol.NS-17, No.2, p.364-372.
  5. Блудов С.Б., Гадецкий Н.П., Кравцов К.А., Лонин Ю.Ф., Магда И.И., Пушкарев С.С., Ткач Ю.В., Чумаков В.И. Генерирование мощных СВЧ-импульсов ультракороткой длительности и их воздействие на изделия электронной техники // Физика плазмы, 1994, т. 20, №7-8, с.712-717.
  6. Иванов Ю.Г., В.Р. Осипов, А.Н. Руденко. Экспериментальные исследования влияния СВЧ электромагнитных полей на функционирование ИМС // Исследование процессов в распределенных системах и средах.- М.: Ин-т физ.-техн. проблем АН СССР, 1991, с.100-107.
  7. Бригидин А.М., Титович Н.А., Кириллов В.М.. Влияние электромагнитных помех на цифровые интегральные схемы // Электронная техника. Серия: Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания,1989, вып.5(137), с.35-57.
  8. Абдурахимов Д.Е. и др. Воздействие электромагнитных СВЧ импульсов на структуру примесных неоднородностей в кристаллах кремния и характеристики полупроводниковых приборов // Микроэлектроника, 1992, т.21, вып.1, с.82-89.
  9. Антипин В.В., Годовицын В.А., Громов Д.В., Кожевников А.О., Раваев А.А. Изменение параметров МШУ при воздействии мощных импульсных помех // Радиотехника, 1991, №8, c. 18-20.
  10. Strickland B.R., Auden N.F. Numerical analysis technique for diode-loaded dipole antennas // IEEE Trans. EC, 1993, Vol. 35, Nо.4, р.480.
  11. Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В. Повреждение цифровых интегральных микросхем под действием импульсного радиоизлучения // Материалы докладов 11-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии».- Севастополь: СевГТУ, 2001, с.300.
  12. Васильев К.Б., Ключник А.В., Солодов А.В. Статистика отказов цифровых ИМС, вызванных импульсным радиоизлучением. // Материалы докладов 9-й Междунар. Крымской конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии».- Севастополь: СевГТУ, 1999, с.329-330.
  13. LoVetri J., Wibers A.T.M., Zwamborn A.P.M. Microwave interaction with a personal computer: experiments and modeling // Proc. of the 13th Int. Zurich Symp. оn EMC (Zurich, Switzerland), 1999, pp.203-206.
  14. Arnessen O.H., Krogager E., Backstrom M., et al. High Power Microwave Effects on Civilian Wireless Equipment // EMC Europe Conference, Rome, 2005.
  15. Nilsson T., Mansson D., Backstrom M. EMI Effects on Some Wireless Systems (GPRS Receivers) // IEEE EMC Meeting, Sweden chapter, 2006, Uppsala, p.1.
  16. Бердышев А.В., Ивойлов В.Ф., Исайкин А.В., Козирацкий Ю.Л., Щеренков В.В., Ярыгин А.П. Экспериментальные исследования воздействия СВЧ импульсов на содержащие интегральные микросхемы радиоэлектронные устройства // Радиотехника, 2003, №6, с.85-88.
  17. Юшков Ю.Г., Чумерин П.Ю., Артеменко С.Н., Новиков С.А., Зеленцов Д.В. Экспериментальные исследования воздействия сверхвысокочастотных импульсов на работу персонального компьютера // Радиотехника и электроника, 2001, т.46, №8, с.1020-1024.
  18. Гадецкий Н.П., Кравцов К.А., Магда И.И. Функциональные сбои персонального компьютера при воздействии электромагнитных импульсов сверхкороткой длительности // Материалы докладов 11-ой Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникацион-ные технологии».- Севастополь: СевГТУ, 2001, с. 326-327.
  19. Mansson D., Thottappillil R., Nilsson T., Lunden O., Backstrom M. Susceptibility of Civilian GPS Receivers to Electromagnetic Radiation // IEEE Trans., 2008, EMC-50, No.2, p.434-437.
  20. Waunch D.C., Bell R.R. Determination of threshold failure levels semiconductor diodes and transistors due to pulse voltage // IEEE Trans., 1968, Vol.NS-15, No.6, p.244-259.
  21. Вдовин В.А., Кулагин В.В., Черепенин В.А. Помехи и сбои при нетепловом воздействии короткого электромагнитного импульса на радиоэлектронные устройства // Электромагнитные волны и электронные системы, 2003, т. 8, №1, с.64-73.
  22. Зиглин С.Л., Репецкая Л.В., Черепенин В.А. Воздействие мощных колебаний на импульсные устройства // Электромагнитные волны и электронные системы, 2008, т.13, №6, с.16-17.