Влияние непостоянства коэффициента диффузии и растворимости примеси в многослойной структуре на распределение примеси при формировании в ней диффузионного p-n-перехода. Оптимизация длительности отжига

Abstract

С помощью предложенного в настоящей работе развития разработанной ранее методики анализа массо- и теплопереноса (см., например, [1,2]) проведен анализ динамики перераспределения примеси в многослойной полупроводниковой структуре с учетом временной и концентрационной зависимости коэффициента диффузии и растворимости примеси. Проиллюстрировано, что правильно выбранное пространственное распределение свойств твердотельной структуры позволяет увеличить резкость сформированного в ней диффузионного p-n-перехода, а также равномерность распределения примеси в обогащенной ею области. Обобщены полученные в [2] условия для одновременного увеличения резкости диффузионного p-n-перехода и равномерности распределения в нем примеси. Рассмотрена методика оптимизации длительности отжига для данных целей.

For citation

References

1. Е.Л. Панкратов. // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2004. - Т.12, №3. - С. 35-44.
2. E.L. Pankratov // Phys. Rev. B. 2005. V.72, №7. P. 075201-075208.
3. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника. М.: Высшая школа, 1991. 622с.
4. A.B. Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York, John Wyley and Sons, 1983, 894 p.
5. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
6. T. Ahlgren, J. Likonen, J. Slotte, J. Raisanen, M. Rajatore, J. Keinonen // Phys. Rev B. 1997. V.56, №8. P. 4597-4603.
7. Ю.Д. Соколов // Прикладная механика. 1955. Т.1. С. 23-35.
8. А.Ю. Лучка. Теория и применение метода осреднения функциональных поправок. - Киев: Издательство АН УССР. 1963. 128 с.
9. А.Н. Тихонов, А.А. Самарский. Уравнения математической физики. - М.: Наука. 1972. 735 с.