Перераспределение имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге радиационных дефектов
Abstract
В настоящей работе проведен анализ динамики перераспределения имплантированной в многослойную структуру примеси с учетом температурной зависимости коэффициента диффузии в процессе отжига радиационных дефектов лазерными импульсами. Показано, что неоднородность твердотельной структуры позволяет увеличить резкость p-n-перехода, сформированного в результате имплантации, и равномерность распределения примеси в обогащенной ею области. Получены условия на пространственное распределение свойств имплантационно-легированной твердотельной структуры, при которых формируется более резкий p-n-переход с более равномерным распределением примеси в обогащенной ею области по сравнению с однородной структурой.
Аннотация (на русском)
Перераспределение имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге радиационных дефектов
В настоящей работе проведен анализ динамики перераспределения имплантированной в многослойную структуру примеси с учетом температурной зависимости коэффициента диффузии в процессе отжига радиационных дефектов лазерными импульсами. Показано, что неоднородность твердотельной структуры позволяет увеличить резкость p-n-перехода, сформированного в результате имплантации, и равномерность распределения примеси в обогащенной ею области. Получены условия на пространственное распределение свойств имплантационно-легированной твердотельной структуры, при которых формируется более резкий p-n-переход с более равномерным распределением примеси в обогащенной ею области по сравнению с однородной структурой.
For citation
Pankratov E.L. Перераспределение имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге радиационных дефектов // Journal of Radio Electronics. – 2007. – No. 5.
References
- В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника. М.: Высшая школа, 1991. 622с.
- A.B. Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York, John Wyley and Sons, 1983, 894 p.
- З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
- С.Т. Шишияну, Т.С. Шишияну, С.К. Райлян // ФТП. 2002. Т.36. № 5. С. 611-617.
- Ahlgren T., Likonen J., Slotte J., J. Risnen, M. Rajatore, J. Keinonen // Phys. Rev B. 1997. V.56, №8. P. 4597-4603.
- E.L. Pankratov // Phys. Rev. B. 2005. V.72, №7. P. 075201-075208.
- E.L. Pankratov, B. Spagnolo. // European Physical Journal B. - 2005. - V.46, №1. - P. 15-19.
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С.Смирнов. Импульс-ный отжиг полупроводниковых материалов. - М.: Наука. 1982. 208 с.
- A.F. Corballo Sanchez, G. Gonzalez de la Cruz, Yu.G. Gurevich, G.N. Logvinov // Phys. Rev. B. 1999. - V.59, №16. - P. 10630-10638.
- В.И. Мажукин, В.В.Носов, U. Semmler // Математическое моделирование. - 2000. - Т.12. №2. - С. 75 -83.
- Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. - М.: Энергия.1975.130 с.
- H. Ryssel, I. Ruge. Ion implantation. - B.G. Teubner, Stuttgart. 1978. 360с.
- P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer // Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.
- К.В. Шалимова Физика полупроводников. - М.: Энергоатомиздат, 1985. - 391 с.
- Ю.Д. Соколов, Прикладная механика. 1955. Т.1, P. 23-35.