Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2011, № 9 · SOLID STATE ELECTRONICS

Уменьшение глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре путем последовательных радиационной обработки материалов и микроволнового отжига

E.L. Pankratov1

1 Нижегородский архитектурно-строительный университет, Russia
Full text (PDF) EDN OJKRMR

Abstract

It has recently been shown, that manufacturing of diffusive-junction rectifiers and implanted-junction rectifiers in a semiconductor heterostructure after appropriate choosing of parameters of the structure and optimization of annealing time leads to increase of the sharpness of p-n-junction and at one time to increase the homogeneity of dopant distribution in doped area. Formation of inhomogeneity of temperature in the heterostructure by laser or microwave annealing gives us possibility to increase the both effects at one time. It has recently been shown by experiments, that predoping radiation processing of materials leads to changing of dopant diffusion in comparison with nonprocessed one. In this paper we consider the possibility to use serial radiation processing of materials of heterostructure before doping and microwave annealing of radiation defects after doping to increase the sharpness p-n-junctions and at one time to increase the homogeneity of dopant distribution in doped area in the heterostructure.

  • увеличение резкости p-n-переходов; биполярные гетеротранзисторы; оптимизация отжига; радиационная обработка материалов; микроволновый отжиг
  • increasing of sharpness of p-n-junctions; bipolar heterotransistors; optimization of annealing; radiation processing of materials; microwave annealing
Аннотация (на русском)

Уменьшение глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре путем последовательных радиационной обработки материалов и микроволнового отжига

Ранее было показано, что формирование диффузионных и имплантационных p-n-переходов в полупроводниковых гетероструктурах после соответствующего выбора ее материалов и оптимизации длительности отжига позволяет сформировать p-n-переходы с более компактным и равномерным в обогащенной области распределением примеси. Формирование неоднородного температурного поля применением лазерного или микроволнового отжигов позволяет усилить оба эффекта. Из эксперимента известно, что предварительная радиационная обработка материалов приводит к изменению перераспределения примеси в процессе отжига. В настоящей работе рассматривается возможность применения последовательных радиационной обработки материалов гетероструктуры и микроволнового отжига для одновременного усиления эффектов увеличения компактности распределения примеси в имплантационном p-n-переходе и увеличения ее равномерности в обогащенной области.

For citation

Pankratov E.L. Уменьшение глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре путем последовательных радиационной обработки материалов и микроволнового отжига // Journal of Radio Electronics. – 2011. – No. 9.

References

  1. A.B. Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York, John Wyley and Sons,1983,894p.
  2. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
  3. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника. Ростов-на-Дону: Феникс, 2001. 446 с.
  4. С.Т. Шишияну, Т.С. Шишияну, С.К. Райлян. ФТП. 2002. Т.36 (5). С. 611-617.
  5. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, Письма в ЖТФ Т. 29 (19), С. 26-30 (2003).
  6. T. Ahlgren, J. Likonen, J. Slotte, J. Risnen, M. Rajatore, J. Keinonen. Phys. Rev. B. 1997. V.56, (8). P. 4597-4603.
  7. Н.И. Волокобинская, И.Н. Комаров, Т.В. Матюхина, В.И. Решетников, А.А. Руш, И.В. Фалина, А.С. Ястребов. ФТП. 2001. Т.35 (8). С. 1013-1017.
  8. E.L. Pankratov. J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103 (6). P. 064320-064330.
  9. E.L. Pankratov. Phys. Lett. A. 2008. Vol. 372 (11). P. 1897-1903.
  10. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Санкт-Петербург: "Наука", 2003. 268 с.
  11. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия. 1975. 130 с.
  12. Ryssel H., Ruge I. Ion implantation. B.G. Teubner, Stuttgart, 1978. 360 с.
  13. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys. 1989. V. 61. № 2. P. 289-388.
  14. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 391 с.
  15. E.L. Pankratov. Phys. Rev. B. 2005. V.72 (7). P. 075201-075208.
  16. E.L. Pankratov, B. Spagnolo. The Eur. Phys. J. B. 2005. V. 46 (1). P. 15-19.