Расчет эволюции кластеров радиационных дефектов с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов
Abstract
В настоящей работе проведен анализ эволюции концентрации точечных дефектов при ионном облучении твердых тел. Предложена приближенная аналитическая методика для ее описания с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов (рекомбинация точечных дефектов и образование дивакансий). Расчеты произведены с учетом дискретного во времени и пространстве попадания ионов на поверхность образца. На примере облучения кремния ионами неона рассчитаны зависимости концентрации дефектов от глубины при различных дозах (временах облучения) и зависимость дозы аморфизации от плотности ионного тока.
Аннотация (на русском)
Расчет эволюции кластеров радиационных дефектов с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов
В настоящей работе проведен анализ эволюции концентрации точечных дефектов при ионном облучении твердых тел. Предложена приближенная аналитическая методика для ее описания с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов (рекомбинация точечных дефектов и образование дивакансий). Расчеты произведены с учетом дискретного во времени и пространстве попадания ионов на поверхность образца. На примере облучения кремния ионами неона рассчитаны зависимости концентрации дефектов от глубины при различных дозах (временах облучения) и зависимость дозы аморфизации от плотности ионного тока.
For citation
Pankratov E.L. Расчет эволюции кластеров радиационных дефектов с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов // Journal of Radio Electronics. – 2007. – No. 9.
References
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационая физика полупроводников. Киев: "Наукова думка", 1979.
- L. Pelaz, L. Marques and J. Barbolla // J. Appl. Phys. 2004. V.96. №11. P. 5947.
- N.P. Morozov, D.I. Tetelbaum, P.V. Pavlov, and E.I. Zorin. // Phys. Stat. Sol. 1976. V.37. №1. P.57.
- Н.П. Морозов, Д.И. Тетельбаум // ФТП. 1980. Т.14. №5. С. 934.
- Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, А.В. Питиримов // Известия академии инженерных наук им. А.М. Прохорова. Технология материалов и компонентов электронной техники. 2004. Т.7. №11. С. 17.
- А.А. Ежевский, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов А.А. Ежевский, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, М.Ю. Лебедев, Ю.А. Менделеева, С.В. Морозов, Д.В. Гусейнов.// Optical Materials. 2001. V.17. №1-2. P. 57.
- Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1974.
- P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer // Rev. Mod. Phys. 1989. V.61. №2. P. 289.
- ГОСТ 8.009-84.
- E.L. Pankratov // Phys. Rev. B. 2005. V.72. №7. P. 075201.
- Ю.Д. Соколов // Прикладная механика. 1955. Т.1. С. 23.
- А.Ю. Лучка. Теория и применение метода осреднения функциональных поправок. Киев: Издательство АН УССР. 1963.
- А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскадах атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985. 248 с.
- Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия, 1975. 130 с.