Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2013, № 10 · SOLID STATE ELECTRONICS

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами

A.V. Gradoboev1,2, K.N. Orlova1, I.A. Asanov2

1 Юргинский технологический институт Национального исследовательского Томского политехнического университета, Russia
2 ОАО «Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов», г. Томск, Russia
Full text UDC 621.383.933:621.3.029.78 EDN RQOYFD

Abstract

Research results of the current-voltage characteristics of red (630 nm) and yellow (590 nm) AlGaInP light-emitting diodes are presented under irradiation by gamma rays to 60Co dose of 5∙10 6 Gy and fast neutron fluence of 2∙10 14 n/cm 2. An operating mode is passive. It is shown that changes in the current-voltage characteristics are absent in the all dose and fluences range. The current-voltage characteristics found two distinct phases, which are estimated to correspond to areas of average and strong injection. Detailed investigation of the current-voltage characteristics of LEDs allows to associate these areas with two mechanisms of current generation - the injection of charge carriers and the injection of charge carriers along with the modulation of the AlGaInP active field resistance in the semi-logarithmic scale.

  • heterostructures AlGaInP
  • radiation hardness
  • light-emitting diodes
Аннотация (на русском)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со дозой до 5∙10 6 Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10 14н/см 2 в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP.

For citation

Gradoboev A.V., Orlova K.N., Asanov I.A. Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами // Journal of Radio Electronics. – 2013. – No. 10.

References

  1. P. Modak, M. DiHondt, P. Mijlemans, I. Moerman, P. Van Daele, P. Demeester. Journal of electronic materials, 29 (1), 80 (2000).
  2. А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами [Электронный ресурс] / А.В. Градобоев, К.Н. Орлова, И.А. Асанов // Журнал радиоэлектроники. - 2013. - № 4. - Режим доступа: http://jre.cplire.ru/jre/apr13/7/text.pdf.
  3. А.В. Градобоев, П.В. Рубанов. Тез. докл 5-ой Межд. конф. Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах (Томск, Россия, 2006) т. 1, с. 292.
  4. А.В. Градобоев, П.В. Рубанов, И.М. Скакова. Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами //Известия высших учебных заведений. Физика. №1. 2011-С190-194.
  5. В.В. Пасынков. Полупроводниковые приборы: Учеб. для Вузов. - М.: Высш. шк., 1987. - 479с.