Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2003, № 4 · RADIO ENGINEERING

Электрополевой гистерезис в гетеросистеме n-AlGaAs/GaAs с 2D электронами

V.I. Kadushkin1

1 Рязанский государственный педагогический университет, Russia
Full text EDN MSPQAX

Abstract

Обнаружено явление электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики (ВАХ) латеральной проводимости одиночного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs при фиксированных температурах 4.2 и 77 К. Петля гистерезиса при циклировании вырождается в обратимую ветвь ВАХ существенно различным образом для указанных температур. Эффект гистерезиса восстанавливается при отогревании до комнатной температуры. Качественное объяснение наблюдаемому явлению было дано в предположении несимметричности электрополевой активизации DX - центров границы раздела гетероперехода. Выполнены оценки некоторых параметров DX - центров.

Аннотация (на русском)

Электрополевой гистерезис в гетеросистеме n-AlGaAs/GaAs с 2D электронами

Обнаружено явление электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики (ВАХ) латеральной проводимости одиночного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs при фиксированных температурах 4.2 и 77 К. Петля гистерезиса при циклировании вырождается в обратимую ветвь ВАХ существенно различным образом для указанных температур. Эффект гистерезиса восстанавливается при отогревании до комнатной температуры. Качественное объяснение наблюдаемому явлению было дано в предположении несимметричности электрополевой активизации DX - центров границы раздела гетероперехода. Выполнены оценки некоторых параметров DX - центров.

For citation

Kadushkin V.I. Электрополевой гистерезис в гетеросистеме n-AlGaAs/GaAs с 2D электронами // Journal of Radio Electronics. – 2003. – No. 4.

References

  1. X.L. Lei, N.J.M. Horing. Int. J. Mod. Phys. B, 6, 805 (1992).
  2. G. Brunthaler, M. Seto, G. Stoger, K. Kohler. Appl. Phys. Lett.,65(No24), 3084(1994).
  3. I. Rudnev, V.F. Elesin, V. Kadushkin, E. Shangina. Czechoslovak Journal of Physics, 46(S5), 1511(1996).
  4. С.А. Стоклицкий, В.Н. Мурзин, Ю.А. Митягин, В.И. Кадушкин, Ю.А. Ефимов, Г.К. Расулова. Тезисы докладов Int. Conf. "Microelectr.-94", Swenigorod, Moskow, 1994, part I, p. 187; Краткие сообщения по физике ФИАН, 9/10, 10(1994).
  5. J. Goldman, D.C. Tsui, J.E. Cunningham. Phys. Lett., 58(12), 1256(1987).
  6. E.S. Alves et al. Electr. Lett., 24, 1190(1988): Semicond. Sci. Technol., 3 1060(1988).
  7. G.K. Rasulova, M.V. Yakimov, V.I. Kadushkin. Superllat. and Microstruct., 24(5), 313(1998).
  8. M. Keever, H. Morkoc, B.G. Shichigo. Appl. Phys. Lett., 35, 469(1979).
  9. В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, Е.В. Богданов, В.Г. Кытин, А.П. Сеничкин, В.И. Кадушкин. Письма в ЖЭТФ, 63(5), 326(1996).
  10. В.И. Кадушкин, А.А. Денисов, А.П. Сеничкин. ФТП, 23, 1199(1989).
  11. P. Jeanjean, J. Sicart, JL. Robert, F. Mollot, R. Planel. Supperlatt. and Microstruct., 8(3), 345(1990).
  12. Z. Willamowski, T. Suski, W.J. Jantson. Acta Physica Polonica, 82, 561(1992).
  13. Z. Willamowski, J. Kossut, W. Jantch, G. Ostermayer. Semicond. Sci. Technol., 6, B. 38(1991).
  14. J.R. Kirtley, T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wrught. J. Appl. Phys., 63, 1541(1988).
  15. M.C. Holland. Phys. Rev., 134A, 147(1964)
  16. И.Д. Воронова. Труды ФИАН, 89, 3(1976).
  17. A. Dragys, J. Kundrotas. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP, Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994, 264.
  18. В.И. Кадушкин, А.П. Сеничкин. ФТП, 24(6), 1109(1990).
  19. Ж.И. Алферов, С.В. Иванов, П.С. Копьев и др. ФТП, 19, 1199(1985).
  20. В.И. Кадушкин, Е.Л. Шангина. ФТП, 29, 1051(1995).
  21. Г. Кремер. УФН, 172 (№9), 1087(2002).