Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of RAS Русский Sign in Submit a paper
Journal of Radio Electronics Online scientific journal · eISSN 1684-1719
2023, № 3 · SOLID STATE ELECTRONICS

Au-GaAs interface formation during the thermal evaporation of gold in vacuum

T.A. Bryantseva1, Y. Gulyaev1, V.E. Lyubchenko1, I.A. Markov1, Y. Ten1

1 Fryazino Branch of Kotelnikov IRE RAS, Friazino, Russia
Full text DOI: 10.30898/1684-1719.2023.3.2 UDC 538.913 EDN LUKTNX

Abstract

The possibility of using reagent-free modified water for preparing the GaAs surface in the process of creating microstrip structures with Au-GaAs contacts has been studied. It is shown that, compared with the well-known technique based on the use of deionized water, it is possible to significantly improve the quality of both rectifying and non-rectifying (ohmic) contacts obtained by the thermal evaporation of metals in vacuum. This is achieved by creating a layer of recrystallized gallium arsenide instead of a thin layer of natural oxide at the metal-semiconductor interface.

  • reagent-free modified water
  • gallium arsenide
  • oxides
  • rectifying and non-rectifying contacts
Аннотация (на русском)

Особенности формирования границы раздела Au-GaAs при термическом испарении золота в вакууме

В настоящей работе исследована зависимость процесса формирования границы раздела металл-полупроводник от способа подготовки поверхности арсенида галлия перед осаждением пленки золота методом термического испарения в вакууме. Показано, что по сравнению с известной методикой финишной отмывки, основанной на использовании деионизованной воды, использование специально подготовленной безреагентно модифицированной воды (БМВ) позволяет существенно улучшить качество контактов Au-GaAs. Результат достигается за счет выпадения из водного раствора (БМВ) элементов слоя природного оксида GaAs на поверхность полупроводника с образованием нового свободного от оксидов нанослоя арсенида галлия. Обработка в деионизованной воде сдвигает реакцию к формированию на поверхности слоя Ga2O3.

For citation

Bryantseva T.A., Gulyaev Y., Lyubchenko V.E., Markov I.A., Ten Y. Au-GaAs interface formation during the thermal evaporation of gold in vacuum // Journal of Radio Electronics. – 2023. – No. 3. https://doi.org/10.30898/1684-1719.2023.3.2

References

  1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. Москва, Высшая школа. 1987. 375 с.
  2. Барыбин А.А., Томилин В.И., Шаповалов В.И. Физико-технологические основы макро-, микро- и нано-электроники. Москва, Физматлит. 2011. 784 с.
  3. Брянцева Т.А., Дворянкина Г.Г., Лебедева З.М., Петров А.Г., Соколова Е.Б., Юневич Е.О. Взаимодействие золота с приповерхностным слоем арсенида галлия. Неорганические материалы. 1986. Т.22. №9. С.1421-1424.
  4. Брянцева Т.А., Гуляев Ю.В., Любченко В.Е., Марков И.А., Тен Ю.А. Влияние финишной обработки поверхности GaAs на свойства границ раздела Au-GaAs. Радиотехника и электроника. 2021. Т.66. №11. С.1-8. https://doi.org/10.1134/s1064226921110012
  5. Патент РФ №2476383. Еремин С.М., Марков И.А., Тен Ю.А. Способ активации воды. Дата заявки: 16.06.2008. Дата публикации: 27.02.2013. 13 с.
  6. Gulyaev Yu.V., Markov I.A., Ten Yu.A. Reagentless Modified Water and its Biological Activity. Physics of Wave Phenomena. 2020. V.28. №2. P.98-102. https://doi.org/10.3103/S1541308X20020065
  7. Гуляев Ю.В., Еремин С.М., Марков И.А., и др. Физико-химические свойства безреагентно-модифицированной воды и ее биологическая активность. Журнал радиоэлектроники [электронный журнал]. 2005. №5.