Уменьшение глубины залегания элементов системы имплантационных p-n-переходов и увеличение степени интеграции их системы оптимизацией неоднородности и отжига легируемой структуры

Abstract

Ранее было показано (см., например, [1-3]), что выбором параметров многослойной структуры, а также оптимизацией длительности отжига можно уменьшить глубину залегания одиночных диффузионных и имплантационных p-n-переходов, сформированных в такой структуре, по сравнению с p-n-переходами, сформированных в однородных образцах. Аналогично можно увеличить степень интеграции p-n-переходов, являющихся элементами интегральных схем (см., например, [4]). Данная работа посвящена анализу перераспределения примеси в процессе формирования систем имплантационных p-n-переходов (биполярных транзисторов и тиристоров) в многослойных структурах с целью поиска условий, при которых происходит одновременное (в течении одного технологического этапа) уменьшение пространственных размеров p-n-переходов (как глубины залегания, так и степени интеграции p-n-переходов, являющихся элементами интегральных схем).

• уменьшение глубины залегания имплантационных p-n-переходов
• увеличение степени интеграции системы имплантационных p-n-переходов
• оптимизация отжига

For citation

References

1. E.L. Pankratov // Phys. Rev. B. 2005. V.72, №7. P. 075201-075208.
2. E.L. Pankratov, B. Spagnolo // The Eur. Phys. J. B. 2005. V.46, №1. P. 15-19.
3. E.L. Pankratov // Phys. Lett. A. 2008. V.372, №11. P. 1897-1903.
4. Е.Л. Панкратов. // Журнал радиоэлектроники. 2007. №3. С.9-27.
5. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника. М.: Высшая школа, 1991. 622с.
6. A.B. Grebene. Bipolar and MOS analogous integrated circuit design. New York, John Wyley and Sons,1983,894p.
7. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь. 1991. 528с.
8. Y.F. Chong, K.L. Pey, Y.F. Lu, A. T. S. Wee, T. Osipowicz, H. L. Seng, A. See, J.-Y. Dai // Appl. Phys. Lett. 2000. V.77, №19. P.2994.
9. С.Т. Шишияну, Т.С. Шишияну, С.К. Райлян // ФТП. 2002. Т.36. № 5. С. 611-617.
10. З.Д. Ковалюк, О.А. Политанская, П.Г. Литовченко, В.Ф. Ластовецкий, О.П. Литовченко, В.К. Дубовой, Л.А. Поливцев // Письма в ЖТФ. 2007. Т.33, №18. С. 14.
11. J. Park, Y. Huh, H. Hwang, Appl.Phys.Lett. // 1999. V.74, №9. P.1248.
12. E.L. Pankratov. // J. Phys. D. V.41, №11. P. 115105.
13. E.L. Pankratov, J.Appl.Phys //2008. V.103, №6. P. 064320.
14. K.K. Ong, K.L. Pey, P.S. Lee, A.T.S. Wee, X.C. Wang, Y.F. Chong // Appl. Phys. Lett. 2006 V.89. № 17. 172111.
15. E.D. Tsagarakis, C. Lew, M.O. Thompson, E.P. Giannelis // Appl. Phys. Lett. 2006. V.89. № 20. 202910.
16. В.И. Мажукин, В.В.Носов, U. Semmler // Математическое моделирование. 2000. Т.12. №2. С. 75.
17. Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия. 1975. 130 с.
18. H. Ryssel, I. Ruge. Ion implantation. B.G. Teubner, Stuttgart. 1978. 360 с.
19. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer // Rev. Mod. Phys. 1989. V.61. № 2. P. 289-388.
20. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М.:Энергоатомиздат, 1985. 391 с.
21. Ю.Д. Соколов // Прикладная Механика. 1955. Т.1, С. 23-35.
22. E.L. Pankratov // The Eur. Phys. J. B. 2007. V.57, №3. P. 251-256.