Электрофизические
и фотоэлектрические свойства
транзисторных структур с распределенным
эмиттером и функциональные приборы на их
основе.
Б. С.
Муравский, Г. П. Рубцов, Л. Р. Григорьян, О. Н.
Куликов
О
влиянии движения доменной границы на
спектральные свойства удерживаемых
магнитостатических волн.
Е.А. Вилков, В.Г. Шавров, Н.С. Шевяхов
Трехпараметрическая
модель фазовых переходов в ферромагнитном
сплаве Ni-Mn-Ga. В.Д.
Бучельников, Д.Л. Далидович, А.Т. Заяк, В.Г.
Шавров.
Наблюдение
одностороннего эффекта памяти формы,
обусловленного магнитоиндуцированным
мартенситным фазовым переходом в сплаве Ni-Mn-Fe-Ga
В.Г. Шавров, А.А. Глебов, И.Е. Дикштейн, В.В.
Коледов, Д.А. Косолапов, Е.П.
Красноперов, К. Такаги, А.А. Тулайкова, А.А.
Черечукин
Наблюдение
эффекта двусторонней памяти формы, обусловленного магнитоиндуцированным структурным
переходом в поликристаллах ферромагнитного сплава Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga.
И.Д. Борисенко, К.В. Боярчук, В.Д.
Бучельников, И.Е. Дикштейн,
Д.И. Ермаков, В.В. Коледов, Е.П.
Красноперов, В.В. Ховайло, Т. Такаги, Т.О.
Худавердян,
В.Г. Шавров
Магнитные
свойства и мартенситная доменная структура при магнитоструктурном переходе в
Ni2,19Mn0,81Ga.
В.Д. Бучельников, И.Д. Борисенко, К.В.
Боярчук, И.Е. Дикштейн,
Д.В. Ермаков, В.В. Коледов, Д.А.
Филиппов, В.В. Ховайло, Т.О.
Худавердян, В.Г. Шавров
О
временной задержке высокочастотных модулирующих сигналов в лавинных
фотодиодах.
В.И.
Григорьевский, А.А. Личманов,
Ю.О. Яковлев
Температурные
параметры тонкопленочных варисторов.
Мамедов А. К. оглы
Температурно-частотные характеристики структур
с барьером Шоттки.
Мамедов Азер Каграман оглы
Тестирование
двухслойных структур молибден-медь.
А.Г. Коваленко
Электрон-электронные
взаимодействия в умеренно легированном гетеропереходе
AlxGa1-x/GaAas.
А. Б. Дюбуа
Асимметризация формы распределения примеси в дельта-легированной
области в процессе ее заращивания.
Е.Л. Панкратов.
Влияние непостоянства
коэффициента диффузии и растворимости примеси в многослойной структуре на
распределение примеси при формировании в ней диффузионного p-n-перехода.
Оптимизация длительности отжига.
Е. Л. Панкратов
Отражение электромагнитной
волны от периодической структуры, содержащей ферромагнитные слои.
Л. Н.
Бутько, В. Д. Бучельников, И. В. Бычков, В. Г. Шавров.
Квазигидродинамическое
моделирование особенностей электропроводности наноразмерных многослойных
сильнолегированных гетероструктур.
В. А. Гергель,
А. П. Зеленый, М. Н. Якупов
Перераспределение
имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге
радиационных дефектов.
Е. Л. Панкратов
Расчет эволюции кластеров
радиационных дефектов с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов.
Е. Л. Панкратов
Диоды на основе
эпитаксиального фосфида галлия для высокотемпературной термометрии.
С.Ю. Ерохин, В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, С.В. Шутов
Распределение
примеси в многослойной структуре при формировании транзисторных структур.
Е.Л. Панкратов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (283 kB)
Determination of technological parameters of drift transistors
according to specified operational characteristics.
A.N.
Frolov, К.A. Frolov, S.V.
Shutov
Аннотация.
Текст: html,
pdf (67 kB)
Один из путей
создания интегральных оптических компонентов для оптического процессора.
Н. В. Пилипенко,
В. Е. Ходаков,
Ф. Н. Цивильский, Д. Л.
Кирийчук, А. В. Балюрко
Аннотация.
Текст: html,
pdf (518 kB)
Мезоскопические
флуктуации проводимости кремниевых транзисторов с высокой концентрацией
встроенных зарядов.
А. С. Бугаев, А. С. Веденеев, А. М. Козлов, П. А. Рузанов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (415 kB)
Полупроводниковый
датчик магнитного поля.
И. К. Камилов, Ш. М. Алиев, М. Ш.
Алиев
Аннотация.
Текст: html,
pdf (805 kB)
Дисперсия диэлектрических коэффициентов и AC-проводимости
монокристаллов TlGa1–хСохS2 в
радиочастотном диапазоне.
С.
Н. Мустафаева
Аннотация.
Текст: html,
pdf (174 kB)
Исследование δ-легированных n-i-p-i-n
структур GaAs методом спектроскопии фотоотражения.
Л.
П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. В. Бугаков,
Т. П. Колмакова, А. В. Червяков
Аннотация.
Текст: html,
pdf (383 kB)
Диагностика
концентрации свободных носителей эпитаксиальных пленок n-InxGa1-xAs методом
комбинационного рассеяния света.
Л.
П. Авакянц,
Т. П. Колмакова
Аннотация.
Текст: html,
pdf (197 kB)
Уменьшение глубины
залегания элементов системы имплантационных p-n-переходов и
увеличение степени интеграции их системы оптимизацией
неоднородности и отжига легируемой структуры.
Е.
Л. Панкратов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (293 kB)
Применение пористых слоев и оптимизация отжига примеси для увеличения
резкости p-n-переходов в биполярных гетеротранзисторах.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (392 kB)
Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины
залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (183 kB)
Угловой спектрометр для исследования метаматериалов.
И. В. Бычков, Д. В. Дубровских, И. С. Зотов, Д. А. Павлов, А. А. Федий, В. Г. Шавров
Аннотация.
Текст: html,
pdf (715 kB)
Влияние
механических напряжений в полупроводниковой гетероструктуре на плотность
p-n переходов.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (382 kB)
Комплексная диэлектрическая проницаемость и ас-проводимость монокристаллов
GaSe, выращенных из газовой фазы.
С. Н.
Мустафаева, М. М.
Асадов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (212 kB)
Квантово-энергетические и кинетические свойства материалов кремниевой
наноэлектроники на основе кластеров Si2-Si10.
А. Н. Власов, В. В. Филиппов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (740 kB)
Использование полиэфирсульфона (PES) для электронно-лучевой литографии.
А.
С. Ильин, А. А. Кузьмин, А. Г. Коваленко
Аннотация.
Текст: html,
pdf (333 kB)
Уменьшение глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой
гетероструктуре путем последовательных радиационной обработки материалов и
микроволнового отжига.
Е. Л.
Панкратов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (230 kB)
Квантовохимическое моделирование структуры
кремниевых фуллеренов.
В. В. Филиппов, А Н. Власов
Аннотация.
Текст: html,
pdf (361 kB)
Разработка установки для автоматизированного
исследования магнитоимпедансных свойств пленок и микропроводов.
А. М. Горин, М. В.
Логунов, А. В. Спирин
Аннотация.
Текст: html,
pdf (515 kB)
