Минобрнауки России
ФГБУН Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова
Российской академии наук

ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

электронный журнал, ISSN 1684-1719

Главный редактор академик Ю.В. ГУЛЯЕВ

О ЖУРНАЛЕ | АРХИВ ВЫПУСКОВ | РЕДКОЛЛЕГИЯ | РЕЦЕНЗИРОВАНИЕ | ИЗДАТЕЛЬСКАЯ ЭТИКА | ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ АВТОРОВ | КОНТАКТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ | ПОИСК

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
(
English page)

2000-2007
2008-2014
2015-2018
2019-2020

2021

2008-2014:

Распределение примеси в многослойной структуре при формировании транзисторных структур.
Е.Л. Панкратов
Аннотация.   Текст: html, pdf (283 kB)

Determination of technological parameters of drift transistors according to specified operational characteristics.
A.N. Frolov, К.A. Frolov, S.V. Shutov
Аннотация.   Текст: html, pdf (67 kB)

Один из путей создания интегральных оптических компонентов для оптического процессора.
Н. В. Пилипенко, В. Е. Ходаков, Ф. Н. Цивильский, Д. Л. Кирийчук, А. В. Балюрко
Аннотация.   Текст: html, pdf (518 kB)

Мезоскопические флуктуации проводимости кремниевых транзисторов с высокой концентрацией встроенных зарядов.
А. С. Бугаев, А. С. Веденеев, А. М. Козлов, П. А. Рузанов
Аннотация.   Текст: html, pdf (415 kB)

Полупроводниковый датчик магнитного поля.
И. К. Камилов, Ш.
М. Алиев, М. Ш. Алиев
Аннотация.   Текст: html, pdf (805 kB)

Дисперсия диэлектрических коэффициентов и AC-проводимости монокристаллов TlGa1–хСохS2 в радиочастотном диапазоне.
 С. Н. Мустафаева

Аннотация.   Текст: html, pdf (174 kB)
 

Исследование δ-легированных n-i-p-i-n структур GaAs методом спектроскопии фотоотражения.
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. В. Бугаков, Т. П. Колмакова, А. В. Червяков

Аннотация.   Текст: html, pdf (383 kB)
 

Диагностика концентрации свободных носителей эпитаксиальных пленок n-InxGa1-xAs методом комбинационного рассеяния света.
Л. П. Авакянц, Т. П. Колмакова

Аннотация.   Текст: html, pdf (197 kB)

 

Уменьшение глубины залегания элементов системы имплантационных p-n-переходов и увеличение степени интеграции их системы оптимизацией неоднородности и отжига легируемой структуры.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.   Текст: html, pdf (293 kB)

Применение пористых слоев и оптимизация отжига примеси для увеличения резкости p-n-переходов в биполярных гетеротранзисторах.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.   Текст: html, pdf (392 kB)

Применение радиационной обработки материалов для уменьшения глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.   Текст: html, pdf (183 kB)

Угловой спектрометр для исследования метаматериалов.
И. В. Бычков, Д. В. Дубровских, И. С. Зотов, Д. А. Павлов, А. А. Федий, В. Г. Шавров
Аннотация.   Текст: html, pdf (715 kB)

Влияние механических напряжений в полупроводниковой гетероструктуре на плотность p-n переходов.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.   Текст: html, pdf (382 kB)

Комплексная диэлектрическая проницаемость и ас-проводимость монокристаллов GaSe, выращенных из газовой фазы.
С. Н. Мустафаева,
М. М. Асадов
Аннотация.   Текст: html, pdf (212 kB)

Квантово-энергетические и кинетические свойства материалов кремниевой наноэлектроники на основе кластеров Si2-Si10.
А. Н. Власов, В. В. Филиппов
Аннотация.   Текст: html, pdf (740 kB)
 

Использование полиэфирсульфона (PES) для электронно-лучевой литографии.
А. С. Ильин, А. А. Кузьмин, А. Г. Коваленко

Аннотация.   Текст: html, pdf (333 kB)

Уменьшение глубины залегания p-n-переходов в полупроводниковой гетероструктуре путем последовательных радиационной обработки материалов и микроволнового отжига.
Е. Л. Панкратов
Аннотация.   Текст: html, pdf (230 kB)

Квантовохимическое моделирование структуры кремниевых фуллеренов.
В. В. Филиппов, А Н. Власов
Аннотация.   Текст: html, pdf (361 kB)

Разработка установки для автоматизированного исследования магнитоимпедансных свойств пленок и микропроводов.
А. М. Горин, М. В. Логунов, А. В. Спирин
Аннотация.   Текст: html, pdf (515 kB)

Анизотропия температурных характеристик магнитостатических волн в планарных ферритах.
В. В. Шагаев
Аннотация.   Текст: html, pdf (264 kB)

Оценка оптической предельной чувствительности титановых наноболометров-сенсоров на краю сверхпроводникового перехода с разогревом электронного газа.
А. Н. Выставкин, А. Г. Коваленко, И. А. Кон, А. С. Ильин, С. В. Шитов, О. В. Корюкин, А. В. Уваров
Аннотация.   Текст: html, pdf (259 kB)

Модуляция характеристик стимулированного пикосекундного излучения GаAs, рекомендации по её использованию и борьбе с ней. Визуализация ямы в области
усиления спектра поглощения света, "выжигаемой" излучением.
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов
Аннотация.   Текст: html, pdf (253 kB)

Влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов в пленках SiO2.
 А. В. Герт, К. С Журавлев
Аннотация.   Текст: html, pdf (178 kB)

Исследование Ni в ZnO методом одноосного сжатия.
 Ю. С. Кутьин, Э. В. Лавров
Аннотация.   Текст: html, pdf (2 397 kB)

Генерация терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении эпитаксиальных слоев n-GaN.
А. О. Захарьин, А. В. Бобылев, А. А. Усикова, А. В. Андрианов
Аннотация.   Текст: html, pdf (198 kB)

Акустические свойства композита 0-3 на основе вольфрама и полистирола.
А. В. Смирнов, И. В. Синёв, А. М. Шихабудинов
Аннотация.   Текст: html, pdf (5 175 kB)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами.
А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов
Аннотация.   Текст: html, pdf (139 kB)

Сверхпроводящие φ-элементы на основе джозефсоновских структур с ферромагнитными слоями.
Н. В. Кленов, С. В. Бакурский, В. И. Ружицкий, А. В. Кузнецов, К. Е. Нестеров, С. Ж. Герасимова,  И. И. Соловьев
Аннотация.   Текст: html, pdf (1 100 kB)

Прототип мемристорной ячейки на основе МДМ структур с использованием диэлектрической пленки HfxAl1-xOy с переменным составом.
А. А. Чуприк А. С. Батурин, К. В. Булах, К. В. Егоров, А. А. Кузин, Д. В. Негров, С. А. Зайцев, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. В. Заблоцкий
Аннотация.   Текст: html, pdf (172 kB)

Максвелл-вагнеровская релаксация в пьезокомпозите PVF/феррит с эллипсоидальными включениями в переменном электрическом поле.
А. А. Паньков
Аннотация.   Текст: html, pdf (177 kB)

Частотная зависимость действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости монокристалла TlInSe2 при релаксационных процессах.
С. Н. Мустафаева
Аннотация.   Текст: html, pdf (135 kB)

Параметры микроволновых детекторов на основе низкобарьерных диодов Мотта для матричных систем радиовидения.
В. И. Шашкин, А. В. Мурель, Н. В. Востоков
Аннотация.   Текст: html, pdf (2 500 kB)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами.
А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов
Аннотация.   Текст: html, pdf (145 kB)

In-situ пассивация нитридных гетероструктур с тонкими барьерными слоями для транзисторов с высокой подвижностью электронов.
А. А. Андреев, М. Л. Занавескин, И. О. Майборода, В. В. Москвин, П. А. Перминов
Аннотация.   Текст: html, pdf (157 kB)

Предельная чувствительность болометра на холодных электронах в зависимости от температуры болометра и мощности сигнала.
М. Тарасов,  В. Эдельман, С. Махашабде, Л. Кузьмин
Аннотация.   Текст: html, pdf (1 059 kB)

Полуизолирующие 6H-SiC подложки для применения в современной электронике.
А. А. Лебедев, С. В. Белов, С. П. Лебедев, Д.П. Литвин, И. П. Никитина, А. В. Васильев, Ю. Н. Макаров, С. С. Нагалюк, А. Н. Смирнов, В.В. Попов, В. Н. Вьюгинов, Р. Г. Шифман, Ю. С. Кузмичёв, Н. К. Травин, О. В. Венедиктов
Аннотация.   Текст: html, pdf (544 kB)

Механизмы воздействия электромагнитных полей на проводящие пленочные структуры микросхем.
С. П. Арсеничев, Е. В. Григорьев, С. А. Зуев, В. В. Старостенко, Е. П. Таран
Аннотация.   Текст: html, pdf (259 kB)

Акустоэлектронная компонентная база.
О. Л. Балышева
Аннотация.   Текст: html, pdf (450 kB)

Отклик асимметричных устройств на основе углеродных нанотрубок на субтерагерцовое излучение.
А. И. Кардакова, Г. Е. Федоров, И. А. Гайдученко, И. А. Чараев, Б. М. Воронов, М. И. Финкель, Г. Н. Гольцман
Аннотация.   Текст: html, pdf (687 kB)

Применение плазмостойкого негативного электронного резиста из полиэфирсульфона при изготовлении чувствительных к примесям сверхпроводниковых структур.
А. С. Ильин, И. А. Кон, А. Г. Коваленко

Аннотация.   Текст: html, pdf (238 kB)

Пироэлектрические свойства пористого титаната бария.
А. А. Паньков
Аннотация.   Текст: html, pdf (175 kB)

Исследование мультифункционального сплава Гейслера Ni43Mn37,8In12,2Со7 с помощью экстракционного магнитного калориметра.
А. В. Маширов, А. П. Каманцев, Е. Т. Дильмиева, Я. Цвик, В. Нижанковский, И. С. Терешина, Б. Эрнандо, Л. Гонзалес, В. Вега, В. В. Коледов, В. Г. Шавров

Аннотация.   Текст: html, pdf (2 311 kB)

Температурные характеристики поверхностей магнитостатической волны в системе плёнка железоиттриевого граната-редкоземельный магнит.
В. В. Шагаев, Тун Тун Лин
Аннотация.   Текст: html, pdf (198 kB)

 


- статья на русском языке, - статья на английском языке.