ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

О ЖУРНАЛЕ | АРХИВ ВЫПУСКОВ | РЕДКОЛЛЕГИЯ | РЕЦЕНЗИРОВАНИЕ | ИЗДАТЕЛЬСКАЯ ЭТИКА | ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ АВТОРОВ | КОНТАКТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ | ПОИСК

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
(English page)

2000-2007
2008-2014
2015-2018
2019-2020
2021

2000-2007:

Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе.
Б. С. Муравский, Г. П. Рубцов, Л. Р. Григорьян, О. Н. Куликов

О влиянии движения доменной границы на спектральные свойства удерживаемых магнитостатических волн.
Е.А. Вилков, В.Г. Шавров, Н.С. Шевяхов

Трехпараметрическая модель фазовых переходов в ферромагнитном сплаве Ni-Mn-Ga. В.Д. Бучельников, Д.Л. Далидович, А.Т. Заяк, В.Г. Шавров.

Наблюдение одностороннего эффекта памяти формы, обусловленного магнитоиндуцированным мартенситным фазовым переходом в сплаве Ni-Mn-Fe-Ga
В.Г. Шавров, А.А. Глебов, И.Е. Дикштейн, В.В. Коледов, Д.А. Косолапов,  Е.П. Красноперов, К. Такаги, А.А. Тулайкова, А.А. Черечукин

Наблюдение эффекта двусторонней памяти формы, обусловленного  магнитоиндуцированным структурным переходом в поликристаллах ферромагнитного сплава Ni2,15Mn0,81Fe0,04Ga.
И.Д. Борисенко, К.В. Боярчук, В.Д. Бучельников, И.Е. Дикштейн, Д.И. Ермаков, В.В. Коледов, Е.П. Красноперов, В.В. Ховайло, Т. Такаги, Т.О. Худавердян, В.Г. Шавров

Магнитные свойства и мартенситная доменная структура при магнитоструктурном переходе в Ni2,19Mn0,81Ga.
В.Д. Бучельников, И.Д. Борисенко, К.В. Боярчук, И.Е. Дикштейн, Д.В. Ермаков, В.В. Коледов, Д.А. Филиппов, В.В. Ховайло, Т.О. Худавердян, В.Г. Шавров

О временной задержке высокочастотных модулирующих сигналов в лавинных фотодиодах.
В.И. Григорьевский, А.А. Личманов, Ю.О. Яковлев

Температурные параметры тонкопленочных варисторов.
Мамедов А. К. оглы

Температурно-частотные характеристики структур  с барьером Шоттки.
Мамедов Азер Каграман оглы

Тестирование двухслойных структур молибден-медь.
А.Г. Коваленко

Электрон-электронные взаимодействия в умеренно легированном гетеропереходе Al_xGa_1-x/GaAas.
А. Б. Дюбуа

Асимметризация формы распределения примеси в дельта-легированной области в процессе ее заращивания.
Е.Л. Панкратов.

Влияние непостоянства коэффициента диффузии и растворимости примеси в многослойной структуре на
распределение примеси при формировании в ней диффузионного p-n-перехода. Оптимизация длительности отжига.
Е. Л. Панкратов

Отражение электромагнитной волны от периодической структуры, содержащей ферромагнитные слои.
Л. Н. Бутько, В. Д. Бучельников, И. В. Бычков, В. Г. Шавров.
 

Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности наноразмерных многослойных сильнолегированных гетероструктур.
В. А. Гергель, А. П. Зеленый, М. Н. Якупов

Перераспределение имплантированной в многослойную структуру примеси при лазерном отжиге радиационных дефектов.
Е. Л. Панкратов

Расчет эволюции кластеров радиационных дефектов с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов.
Е. Л. Панкратов

Диоды на основе эпитаксиального фосфида галлия для высокотемпературной термометрии.
С.Ю. Ерохин, В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, С.В. Шутов

 

---

- статья на русском языке, - статья на английском языке.